[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200710090575.7 | 申请日： | 2007-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN101055894A | 公开（公告）日： | 2007-10-17 |
| 发明（设计）人： | 林哲也;星正胜;下井田良雄;田中秀明;山上滋春 | 申请（专利权）人： | 日产自动车株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/24;H01L29/78;H01L21/329;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人： | 刘新宇;权鲜枝 |
| 地址： | 日本神奈川县*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体装置及其制造方法。将第二半导体区的杂质浓度设置为当对由第一半导体区和第二半导体区构成的异质结二极管施加预定反向偏压时，至少在异质结二极管的外周端以外的异质结区中的击穿电压是半导体装置的击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：异质结二极管，其由第一半导体区和第二半导体区构成，所述第二半导体区具有与所述第一半导体区的能带隙不同的能带隙并与所述第一半导体区形成异质结，其中，异质结区被形成为当对所述异质结二极管施加预定反向偏压时，至少在所述异质结二极管的外周端以外的异质结区中的击穿电压是所述半导体装置的击穿电压。
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