[发明专利]影像感测器及半导体元件的形成方法有效
| 申请号： | 200710089515.3 | 申请日： | 2007-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN101106144A | 公开（公告）日： | 2008-01-16 |
| 发明（设计）人： | 蒋尚义;王中枢;伍寿国;杨敦年 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L21/822;H01L21/761 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种影像感测器及半导体元件的形成方法，特别涉及一种影像感测器，包括：一基底，其具有一前表面及一后表面；多个感测元件，形成于该基底的该前表面上，所述感测元件是用以接受入射至该后表面的光；以及一铝掺杂区，形成于该基底中，在水平方向位于相邻的感测元件之间，在垂直方向位于该后表面及所述感测元件之间。本发明所述的影像感测器及半导体元件的形成方法，由于掺杂铝的深隔离壁宽度窄且深度深，故其占据半导体基底较小的面积却又能有效的隔离元件。 | ||
| 搜索关键词： | 影像 感测器 半导体 元件 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种影像感测器，其特征在于，该影像感测器包括：一基底，其具有一前表面及一后表面；多个感测元件，形成于该基底的该前表面上，所述感测元件是用以接受入射至该后表面的光；以及一铝掺杂区，形成于该基底中，在水平方向位于相邻的感测元件之间，在垂直方向位于该后表面及所述感测元件之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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