[发明专利]影像感测器及半导体元件的形成方法

权利要求书

1.一种影像感测器，其特征在于，该影像感测器包括：

一基底，其具有一前表面及一后表面；

多个感测元件，形成于该基底的该前表面上，所述感测元件是用以接受入射至该后表面的光；以及

一铝掺杂区，形成于该基底中，在水平方向位于相邻的感测元件之间，在垂直方向位于该后表面及所述感测元件之间。

2.根据权利要求1所述的影像感测器，其特征在于，该基底包括晶体方向为<100>或<111>的晶体硅。

3.根据权利要求1所述的影像感测器，其特征在于，该铝掺杂区的铝掺杂浓度介于10¹³atoms/cm³至10²⁰atoms/cm³。

4.根据权利要求1所述的影像感测器，其特征在于，所述感测元件是选自互补式金属氧化物半导体影像感测器、电荷耦合元件、主动感测器、被动感测器及其组合所组成的群组。

5.一种影像感测器，其特征在于，该影像感测器包括：

一感测元件，形成于一半导体基底中；

一层间介电层，形成于该半导体基底中；

一导电元件，位于该层间介电层中；以及

一掺杂铝的接面，形成于该层间介电层中，且在水平方向位于该感测元件的周围。

6.根据权利要求5所述的影像感测器，其特征在于，该掺杂铝的接面的铝掺杂浓度介于10¹³atoms/cm³至10²⁰atoms/cm³。

7.一种半导体元件的形成方法，其特征在于，该半导体元件的形成方法包括：

提供一半导体基底；

提供一掩膜层于该半导体基底上；

形成一开口于该掩膜层中，该开口暴露该半导体基底；

形成一含铝层于该掩膜层上以及该开口中的该半导体基底上；以及

经由该掩膜层的该开口扩散该含铝层中的铝至该半导体基底，以在该感测元件的周围形成一掺杂铝的接面。

8.根据权利要求7所述的半导体元件的形成方法，其特征在于，更包括在扩散该含铝层中的铝至该半导体基底之后，移除该含铝层。

9.根据权利要求7所述的半导体元件的形成方法，其特征在于，扩散该含铝层中的铝至该半导体基底包括实施一退火制程。

10.根据权利要求9所述的半导体元件的形成方法，其特征在于，该退火制程的退火温度介于400℃至1200℃。

11.根据权利要求9所述的半导体元件的形成方法，其特征在于，该退火制程是选自热退火、快速退火、激光退火及其组合所组成的群组。

12.根据权利要求7所述的半导体元件的形成方法，其特征在于，形成该含铝层的步骤是选自化学气相沉积法、物理气相沉积法、电镀法及其组合所组成的群组。