[发明专利]金属氧化物半导体晶体管的金属硅化工艺及晶体管结构无效
| 申请号： | 200710088451.5 | 申请日： | 2007-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN101276757A | 公开（公告）日： | 2008-10-01 |
| 发明（设计）人： | 谢朝景;张毓蓝;黄建中;洪宗佑;张俊杰;陈意维 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L29/78;H01L29/43;H01L29/49 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及金属氧化物半导体晶体管的金属硅化工艺，以及以此工艺所形成的晶体管结构。其中，金属氧化物半导体晶体管包括硅基底、栅介电层、硅栅极、硅栅极上的顶盖层，硅栅极与顶盖层侧壁之间隙壁，以及硅栅极旁基底中的源/漏极区。此工艺包括在源/漏极区上形成金属硅化物层，去除顶盖层，以及使硅栅极反应成全金属硅化物栅极，其特征在于：在形成金属硅化物层后、去除顶盖层前，利用反应性气体的等离子体使金属硅化物层的表层反应形成保护层。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 半导体 晶体管 金属硅 化工 结构 | ||
【主权项】：
1. 金属氧化物半导体晶体管的金属硅化工艺，其中金属氧化物半导体晶体管包括硅基底，硅基底上的栅介电层，栅介电层上的硅栅极，硅栅极上的顶盖层，硅栅极与顶盖层侧壁之间隙壁，以及硅栅极旁基底中的源/漏极区；该工艺包括在源/漏极区上形成金属硅化物层，去除顶盖层，以及使硅栅极反应形成全金属硅化物栅极，其特征在于：在形成前述金属硅化物层后、去除顶盖层前，利用反应性气体的等离子体使金属硅化物层的表层反应形成保护层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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