[发明专利]半导体结构和制造半导体结构的方法无效
| 申请号： | 200710086073.7 | 申请日： | 2007-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN101034695A | 公开（公告）日： | 2007-09-12 |
| 发明（设计）人： | 黄洸汉;王允愈;H·S·怀尔德曼;C·C·帕克斯;杨智超 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/532;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 朱海波 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构，它包括含Co的衬垫，布置在吸氧层与含金属的导电材料之间。含Co的衬垫、吸氧层和含金属的导电材料形成MOL金属化层，其中含Co的衬垫取代了传统的TiN衬垫。“含Co”意指衬垫单独地包括元素Co，或包括元素Co和P或B中的至少一个。为了在高深宽比的接触开口之内提供本发明的含Co的衬垫的更好阶梯覆盖，通过无电镀淀积工艺形成该含Co的衬垫。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包括含Co的衬垫，布置在吸氧层与含金属的导电材料之间。
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