[发明专利]半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 200710084992.0 | 申请日： | 2007-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN101030604A | 公开（公告）日： | 2007-09-05 |
| 发明（设计）人： | 爱德华·J.·诺瓦克 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/93 | 分类号： | H01L29/93;H01L21/329 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开了一种半导体结构，该半导体结构包括具有锥形几何设计的耗尽区的非平面变容二极管，从而提供改善的Cmax/Cmin以及低串联电阻。由于锥形，耗尽区的最窄部分可以被设计成完全耗尽，而耗尽区的剩余部分仅部分耗尽。该半导体结构的制造可以沿用标准的FinFET工艺，附加一些额外的或不同的步骤。这些额外的或不同的步骤可以包括形成掺杂的梯形(或三角形)形状的硅台面，生长/沉积栅极电介质，在一部分台面上方形成栅电极，以及在台面中未被栅电极覆盖的地方形成高掺杂的接触区。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，该半导体结构包括具有锥形几何设计的耗尽区的非平面变容二极管，从而提供改善的Cmax/Cmin以及低串联电阻。
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