[发明专利]半导体稳压器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200710043260.7 | 申请日： | 2007-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN101335307A | 公开（公告）日： | 2008-12-31 |
| 发明（设计）人： | 武鸿基 | 申请（专利权）人： | 上海维恩佳得数码科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/866 | 分类号： | H01L29/866;H01L21/329 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 陈亮 |
| 地址： | 201800*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低电压半导体稳压器件及其制造方法，简化传统结构并提高反向漏电特性和击穿电压的一致性。其技术方案为：该稳压器件包括：由第一导电性半导体构成的衬底基片并由此形成的具有第一导电性的第一半导体区；建构于第一半导体区表面的具有第二导电性的第二半导体区；建构于第一半导体区表面的具有第二导电性的且杂质固浓度高的多晶硅层；建构于所述第一半导体区表面并由多晶硅层覆盖的MIS结构；其中，对具有第一导电性半导体构成的衬底和具有第二导电性的第二半导体区间形成的PN结上施加反向偏置和MIS结构在反向偏置下感应产生的第一半导体区的表面耗尽和电场分散，共同产生稳压器件的理想稳压特性。本发明应用于半导体器件制造领域。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 稳压 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1一种半导体稳压器件，所述稳压器件包括：一由第一导电性半导体构成的衬底基片，即第一半导体区；一建构于所述第一半导体区表面的具有第二导电性的第二半导体区；一建构于所述第一半导体区表面的具有第二导电性的且杂质固浓度高的多晶硅层；一建构于所述第二半导体区周围的多晶硅-绝缘层-半导体结构；其中，在所述具有第一导电性半导体构成的第一半导体区和具有第二导电性的第二半导体区形成的PN结上施加有反向偏置，所述多晶硅-绝缘层-半导体结构在所述反向偏置下感应产生的第一半导体区的表面耗尽和电场分散，以产生所述稳压器件的理想稳压特性。
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