[发明专利]多晶硅薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 200710040644.3 | 申请日： | 2007-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN101307488A | 公开（公告）日： | 2008-11-19 |
| 发明（设计）人： | 何永根;陈旺 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B25/04;H01L21/205 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 2012*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种的多晶硅薄膜的制备方法，涉及半导体领域的制造技术。该制备方法包括将沉积多晶硅薄膜的步骤分为至少两步进行，在每两步之间进行辅助气体处理步骤以抑制晶粒的增长。所述辅助气体可以是氮气或氢气或氦气。与现有技术相比，采用本发明制备方法获得的多晶硅薄膜的晶粒较小，在后续对多晶硅薄膜离子注入过程中，可有效减少注入离子对半导体衬底的渗入，同时在后续蚀刻多晶硅薄膜的过程中，有效提高特征尺寸的精度，从而减少半导体器件性能的衰减。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，该方法将沉积多晶硅薄膜的步骤分为至少两步进行，在每两步之间进行辅助气体处理步骤以抑制晶粒的增长。
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