[发明专利]多晶硅薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 200710040644.3 | 申请日： | 2007-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN101307488A | 公开（公告）日： | 2008-11-19 |
| 发明（设计）人： | 何永根;陈旺 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B25/04;H01L21/205 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 2012*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多晶 薄膜 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，该方法将沉积多晶硅薄膜的步骤 分为至少两步进行，在每两步之间进行辅助气体处理步骤以抑制晶粒的增长， 所述辅助气体是氮气、氦气中的一种气体或氮气和氦气的混合气体。
2.如权利要求1所述的多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于：每次进行辅助气 体处理步骤的时间为5-10秒。
3.如权利要求1所述的多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于：所述沉积步骤分 为四步进行，在每两步之间进行氮气处理步骤。
4.如权利要求1所述的多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于：所述沉积步骤分 为五步进行，在每两步之间进行氮气处理步骤。
5.如权利要求1所述的多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于：制备多晶硅薄膜 的沉积装置包括输送进行沉积步骤的反应气体的通气管道以及用于输送辅助气 体的通气管道。
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