[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

一种半导体装置及其制造方法。在以往的半导体装置中，当电极焊盘上施加过电压时，芯片内的电路元件会被破坏。本发明的半导体装置中，N型外延层(3)由分离区域(4、5)划分为多个元件形成区域。在元件形成区域之一上形成有MOS晶体管(1)。MOS晶体管(1)的周围形成具有PN结区域(34、35)的保护元件。PN结区域(34、35)比MOS晶体管(1)的PN结区域(32、33)的结击穿电压低。根据该结构，当在源电极用的焊盘上施加负的ESD电涌时，PN结区域(34、35)击穿，能够保护MOS晶体管(1)。

主权项

1.一种半导体装置，其特征在于，具有：半导体层；形成在所述半导体层上的MOS晶体管；构成所述MOS晶体管的扩散层与所述半导体层的结区域的第一结区域；以及保护元件，配置在所述MOS晶体管的形成区域的周围，具有结击穿电压比所述第一结区域的结击穿电压低的第二结区域。