[发明专利]半导体发射器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200710005377.6 | 申请日： | 2007-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN101022146A | 公开（公告）日： | 2007-08-22 |
| 发明（设计）人： | 李庭旭;金显秀;金柱成;尹皙胡 | 申请（专利权）人： | 三星电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01S5/34 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有纳米图案的半导体发射器件以及制造该半导体发射器件的方法。该半导体发射器件包括：半导体层，包括多个纳米图案，其中所述纳米图案形成在所述半导体层内；以及有源层，形成在该半导体层上。因此光学输出效率提高且半导体发射器件的内部缺陷减少。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发射 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体发射器件，包括：半导体层，包括多个纳米图案，其中所述纳米图案形成在所述半导体层内；以及有源层，形成在该半导体层上。
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