[发明专利]具有双重全金属硅化物栅极的半导体元件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种具有双重全金属硅化物栅极的半导体元件，具有第一晶体管、第二晶体管、介电层与层间绝缘层。第一晶体管设置于基底上，其具有第一金属硅化物栅极、第一源极/漏极。第二晶体管设置基底上，其具有第二金属硅化物栅极、第二源极/漏极。第一金属硅化物栅极的材质与第二金属硅化物栅极的材质不同。第一金属硅化物栅极与第二金属硅化物栅极是在同一个金属硅化工艺中形成的。介电层全面性的覆盖于第一晶体管及第二晶体管上。层间绝缘层设置于介电层上。

主权项

1.一种具有双重全金属硅化物栅极的半导体元件，包括：第一晶体管，设置于基底上，具有第一金属硅化物栅极、第一源极/漏极；以及第二晶体管，设置该基底上，具有第二金属硅化物栅极、第二源极/漏极，该第一金属硅化物栅极的材质与该第二金属硅化物栅极的材质不同，且该第一金属硅化物栅极与该第二金属硅化物栅极是在同一个金属硅化工艺中形成的。