[发明专利]具导电凸块的半导体装置及其制法

摘要

本发明公开了一种具导电凸块的半导体装置及其制法，主要是在设有焊垫及保护层的半导体基材上形成与该焊垫电性导接的第一金属层，并覆盖一外露出部分第一金属层的第二覆盖层，接着于该第二覆盖层上形成与该第一金属层外露部分电性导接的第二金属层，并覆盖一第三覆盖层，且令该第三覆盖层设有开孔以外露出部分第二金属层，从而于该开孔中的第二金属层上形成包含有金属柱及焊锡材料的导电凸块，藉以利用该些覆盖层及金属层提供缓冲效果，以避免现有形成于焊垫上的焊块底部金属层因直接承受金属柱所传递的应力(stress)作用而发生脱层问题。

主权项

1.一种具导电凸块的半导体装置的制法，包括：提供一表面设有焊垫及保护层的半导体基材，该保护层覆盖该半导体基材且外露出该焊垫；于该保护层上形成第一金属层，并令该第一金属层与外露于该保护层的焊垫电性连接；于该第一金属层及保护层上覆盖第二覆盖层，且令该第二覆盖层外露出部分第一金属层；于该第二覆盖层上形成第二金属层，并令该第二金属层与外露的第一金属层电性连接；于该第二金属层及第二覆盖层上覆盖第三覆盖层，且令该第三覆盖层形成有开孔，以外露出部分第二金属层；于外露出该第三覆盖层开孔的第二金属层上形成一金属柱；以及于该金属柱外表面形成焊锡材料。