[发明专利]金属膜的形成方法有效
申请号: | 200680052501.8 | 申请日: | 2006-07-27 |
公开(公告)号: | CN101365821A | 公开(公告)日: | 2009-02-11 |
发明(设计)人: | 酒井达也;松木安生;河口和雄 | 申请(专利权)人: | JSR株式会社 |
主分类号: | C23C16/18 | 分类号: | C23C16/18;H01L21/285 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 熊玉兰;李平英 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明涉及一种使形成有选自钴化合物、钌化合物和钨化合物中的至少一种金属化合物的膜的基体上的金属化合物升华,将该升华气体向用于形成金属膜的基体供给并分解,由此在基体表面上形成金属膜的方法。提供一种能简单形成下述金属膜的方法:在绝缘体基板的沟槽内,采用镀敷法将金属特别是铜埋入之际,在形成种子层的同时,还起到防止金属原子向绝缘膜迁移的阻挡层的作用,且和绝缘体的密合性优良的金属膜。 | ||
搜索关键词: | 金属膜 形成 方法 | ||
【主权项】:
1.金属膜的形成方法,其特征在于,在用于形成选自钴、钌和钨中的至少一种金属的膜的第一基体上,从承载有选自钴化合物、钌化合物和钨化合物中的至少一种金属化合物的第二基体使该金属化合物升华,而且将该升华气体供给该第一基体并分解,由此在第一基体表面上形成该金属膜。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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