[发明专利]金属膜的形成方法

权利要求书

1.金属膜的形成方法，其特征在于，在用于形成选自钴、钌和钨中的至少一种金属的膜的第一基体上，从承载有选自钴化合物、钌化合物和钨化合物中的至少一种金属化合物的第二基体使该金属化合物升华，而且将该升华气体供给该第一基体并分解，由此在第一基体表面上形成该金属膜，上述第一基体具有长宽比为3-40的沟槽，其中上述长宽比是指沟槽深度除以沟槽开口宽度的值。

2.金属膜的形成方法，其特征在于，将用于形成选自钴、钌和钨中的至少一种金属的膜的第一基体和形成有选自钴化合物、钌化合物和钨化合物中的至少一种金属化合物的膜的第二基体对向配置，使第二基体上的该金属化合物升华，将该升华气体供给该第一基体并分解，由此在第一基体表面上形成金属膜，上述第一基体具有长宽比为3-40的沟槽，其中上述长宽比是指沟槽深度除以沟槽开口宽度的值。

3.金属膜的形成方法，其特征在于，在用于形成选自钴、钌和钨中的至少一种金属的膜的基体上，形成选自钴化合物、钌化合物和钨化合物中的至少一种金属化合物的膜，使该金属化合物升华，而且将该升华气体供给和该金属化合物升华的部分不同的基体上的其他部分并分解，由此在基体表面上形成该金属膜，上述基体具有长宽比为3-40的沟槽，其中上述长宽比是指沟槽深度除以沟槽开口宽度的值。

4.权利要求1～3的任一项所述的方法，其中，选自钴化合物、钌化合物和钨化合物中的至少一种金属化合物具有选自配体CO和π配位的配体中的至少一种配体。

5.权利要求1～3的任一项所述的方法，其中，形成的选自钴、钌和钨中的至少一种金属的膜的膜厚为1～1000nm。

6.权利要求1～3的任一项所述的方法，其中，形成的选自钴、钌和钨中的至少一种金属的膜是镀敷用的种子层。

7.权利要求1～3的任一项所述的方法，其中，选自钴、钌和钨中的至少一种金属的膜是2种以上该金属的合金。