[发明专利]金属膜形成方法和金属图案形成方法无效
| 申请号： | 200680040966.1 | 申请日： | 2006-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN101300375A | 公开（公告）日： | 2008-11-05 |
| 发明（设计）人： | 松本和彦 | 申请（专利权）人： | 富士胶片株式会社 |
| 主分类号： | C25D5/56 | 分类号： | C25D5/56;C23C18/16;C25D21/12;H05K1/03;H05K3/18;C08F292/00;C08J7/04 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 耿小强 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种金属膜形成方法，其特征在于具有：(a1)在基板上设置由具有与金属离子或金属盐相互作用的官能团、且与该基板直接化学键合的聚合物构成的聚合物层的工序，(a2)在聚合物层上提供金属离子或金属盐的工序，(a3)还原金属离子或金属盐，形成表面电阻率为10～100kΩ/□的导电层的工序，(a4)通过电镀形成表面电阻率为1×10－1Ω/□以下的导电层的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 金属膜 形成 方法 金属 图案 | ||
【主权项】：
1、一种金属膜形成方法，其特征在于具有下列工序：(a1)在基板上设置由具有与金属离子或金属盐相互作用的官能团、且与该基板直接化学键合的聚合物构成的聚合物层的工序，(a2)在上述聚合物层上提供金属离子或金属盐的工序，(a3)还原上述金属离子或金属盐，形成表面电阻率为10～100kΩ/□的导电层的工序，(a4)通过电镀，形成表面电阻率为1×10-1Ω/□以下的导电层的工序。
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