[发明专利]金属膜形成方法和金属图案形成方法

权利要求书

1、一种金属膜形成方法，其特征在于具有下列工序：

(a1)在基板上设置由具有与金属离子或金属盐相互作用的官能团、且与该基板直接化学键合的聚合物构成的聚合物层的工序，

(a2)在上述聚合物层上提供金属离子或金属盐的工序，

(a3)还原上述金属离子或金属盐，形成表面电阻率为10～100kΩ/□的导电层的工序，

(a4)通过电镀，形成表面电阻率为1×10^-1Ω/□以下的导电层的工序。

2、如权利要求1中所述的金属膜形成方法，其特征在于上述金属离子或金属盐中所含的金属为选自铜、银、金、镍和铬的金属离子或盐。

3、如权利要求1中所述的金属膜形成方法，其特征在于上述(a4)工序中使用的电镀液含有添加剂。

4、如权利要求1中所述的金属膜形成方法，其特征在于在上述(a4)工序中的电镀是在通电开始时的电量达到通电结束时需要的电量的1/10～1/4时，在电流密度为0.1～3mA/cm²条件下进行。

5、如权利要求1中所述的金属膜形成方法，其特征在于使用表面凹凸为500nm以下的基板。

6、一种金属膜形成方法，其特征在于具有下列工序：(b1)在基板上设置由具有与金属胶体相互作用的官能团、且与该基板直接化学键合的聚合物构成的聚合物层的工序，

(b2)在上述聚合物层上提供金属胶体，形成表面电阻率为10～100kΩ/□的导电层的工序，

(b3)通过电镀，形成表面电阻率为1×10^-1Ω/□以下的导电层的工序。

7、如权利要求6中所述的金属膜形成方法，其特征在于使用表面凹凸为500nm以下的基板。

8、一种金属膜，其特征在于是由权利要求1或权利要求6中所述的金属膜形成方法形成的金属膜，其表面的凹凸为500nm以下。

9、一种金属膜，其特征在于是由权利要求1或权利要求6中所述的金属膜形成方法形成的金属膜，其和基板的粘合力为0.5kN/m以上。

10、一种金属图案形成方法，其特征在于具有下列工序：

(c1)在基板上设置由具有与金属离子或金属盐相互作用的官能团、且与该基板直接化学键合的聚合物构成的聚合物层的工序，

(c2)在上述聚合物层上提供金属离子或金属盐的工序，

(c3)还原上述金属离子或金属盐，形成表面电阻率为10～100kΩ/□的导电层的工序，

(c4)在上述表面电阻率为10～100kΩ/□的导电层上形成图案状的抗蚀层的工序，

(c5)通过电镀，在未形成上述抗蚀层的区域形成1×10^-1Ω/□以下的图案状的导电层的工序，

(c6)剥离上述抗蚀层的工序，和

(c7)在上述(c3)工序中形成的导电层中，除去由上述抗蚀层保护的区域的导电层的工序。

11、如权利要求10中所述的金属图案形成方法，其特征在于使用表面凹凸为500nm以下的基板。

12、一种金属图案形成方法，其特征在于具有下列工序：

(d1)在基板上设置由具有与金属胶体相互作用的官能团、且与该基板直接化学键合的聚合物构成的聚合物层的工序，

(d2)在上述聚合物层上提供金属胶体，形成表面电阻率为10～100kΩ/□的导电层的工序，

(d3)在上述表面电阻率为10～100kΩ/□的导电层上形成图案状抗蚀层的工序，

(d4)通过电镀，未形成上述抗蚀层的区域中形成表面电阻率为1×10^-1Ω/□以下的图案状导电层的工序，

(d5)剥离上述抗蚀层的工序，和

(d6)在上述(d2)工序中形成的导电层中，除去上述抗蚀层保护的区域的导电层的工序。

13、如权利要求12中所述的金属图案形成方法，其特征在于使用表面凹凸为500nm以下的基板。