[发明专利]多孔半导体层形成材料

权利要求书

1.一种半导体层形成材料，所述半导体层形成材料包含半导体材料、各自具有许多孔隙的多孔颗粒、和分散介质，其中所述半导体材料以至少一部分半导体材料填充在多孔颗粒孔隙中的这样一种状态存在于所述半导体层形成材料中。

2.如权利要求1中所述的半导体层形成材料，其中当包含在所述半导体层形成材料中的多孔颗粒量限定为A重量％并且包含在所述半导体层形成材料中的半导体材料量限定为B重量％时，A/B值满足0.1至9的关系。

3.如权利要求1中所述的半导体层形成材料，其中所述多孔颗粒的孔隙率在20至75％范围内。

4.如权利要求1中所述的半导体层形成材料，其中所述多孔颗粒都形成为球形或多面体。

5.如权利要求1中所述的半导体层形成材料，其中所述多孔颗粒的平均粒度在2至200nm范围内。

6.如权利要求1中所述的半导体层形成材料，其中所述多孔颗粒主要由无机氧化物组成。

7.如权利要求1中所述的半导体层形成材料，其中所述无机氧化物包括SiO₂，Al₂O₃，ZnO，SnO₂，CeO₂，ITO，TiO₂，CuO，Fe₂O₃，CoO，和Y₂O₃的至少一种或多种。

8.如权利要求1中所述的半导体层形成材料，其中所述半导体材料包含具有至少一个可聚合基团的化合物。

9.如权利要求8中所述的半导体层形成材料，其中所述化合物由下列通式(A1)或(A2)表示，并且所述化合物可以通过它的可聚合基团聚合：

其中，两个R¹相同或不同并且每个独立地表示具有2到8个碳原子的直链烷基，并且四个R²相同或不同并且每个独立地表示氢原子、甲基或乙基，Y表示含有至少一个取代的或未取代的芳族烃环或取代的或未取代的杂环的基团，并且两个X¹是由下列通式(B1)至(B3)的任何一个表示的相同种类取代基，其中两个X¹的碳原子数目相互相同或不同；或

其中八个R相同或不同并且每个独立表示氢原子、甲基、或乙基，Y表示含有至少一个取代的或未取代的芳族烃环或取代的或未取代杂环的基团，并且X²、X³、X⁴和X⁵是用下列通式(B1)至(B3)的任何一个表示的相同种类的取代基，其中X²、X³、X⁴和X⁵的碳原子数目相互相同或不同，

其中n¹是2到8的整数，n²是3到8的整数，m是0到3的整数，Z¹表示氢原子或甲基，并且Z²表示氢原子、甲基或乙基。

10.一种制造半导体元件的方法，所述方法包括：

在第一电极的一个表面上形成半导体层的步骤；和

在半导体层与第一电极相反的表面上形成第二电极的步骤；

其中所述半导体层形成步骤包括通过提供半导体层形成材料形成液体涂层的步骤，所述半导体层形成材料包含半导体材料、多孔颗粒和分散介质并且其中所述半导体材料以至少一部分半导体材料填充在所述多孔颗粒孔隙中的这样一种状态存在；和从所述液体涂层除去分散介质的步骤。

11.如权利要求10中所述的半导体元件制造方法，其中所述半导体材料包含具有至少一个可聚合基团的材料，并且其中所述半导体元件制造方法在除去分散介质步骤以后还包括将所述化合物的可聚合基团与所述化合物的可聚合基团聚合的步骤。