[发明专利]半导体芯片的制造方法

摘要

通过在半导体晶片的第二表面上执行等离子体刻蚀，所述半导体晶片的第一表面上在划分区中放置了半导体器件，以及在所述半导体晶片的第二表面上放置了用于限定划分区的掩模，所述第二表面与所述第一表面相对，通过去除与划分区相对应的部分，将绝缘膜从刻蚀底部部分中暴露出来。随后，通过在以由于等离子体中的离子导致的电荷对绝缘膜的已暴露表面充电的状态下执行等离子体刻蚀，去除器件形成区中与绝缘膜接触的第一表面一侧上的角落部分。随后，通过去除掩模并且随后第二表面上执行等离子体刻蚀来去除第二表面一侧上的角落部分。

主权项

1.一种半导体芯片的制造方法，包括：在具有第一表面和第二表面的半导体晶片的第二表面上执行等离子体刻蚀，在所述第一表面上形成在通过划分区限定的多个器件形成区中放置的半导体器件和在划分区中放置的绝缘膜，以及在所述第二表面上放置了用于限定划分区的掩模，所述第二表面与所述第一表面相对，从而去除了与划分区相对应的部分，并且将绝缘膜从刻蚀底部部分中暴露出来；通过在以由于等离子体中的离子导致的电荷对绝缘膜的已暴露表面充电的状态下连续执行等离子体刻蚀，去除器件形成区中与绝缘膜接触的第一表面一侧上的角落部分；在去除第一表面一侧上的角落部分之后，从第二表面上去除已暴露的绝缘膜，使得将器件形成区分离为单独的半导体芯片；从半导体芯片的第二表面上去除掩模；以及通过随后在已经去除掩模的半导体芯片的第二表面上进一步执行等离子体刻蚀来去除第二表面上的角落部分，从而制造了每一个均包括个体化半导体器件的半导体芯片。