[发明专利]包括被划片线划分的半导体芯片及形成于划片线上的工艺监测电极焊盘的半导体晶片无效
| 申请号： | 200680003028.4 | 申请日： | 2006-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN101107700A | 公开（公告）日： | 2008-01-16 |
| 发明（设计）人： | 吉田雅昭;神埜聪 | 申请（专利权）人： | 株式会社理光 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;B22D17/20;H01L21/3205;H01L21/822;H01L23/52;H01L27/04 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 王冉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体晶片，该半导体晶片具有将该半导体晶片划分为多个半导体芯片的矩阵的划片线。该半导体晶片包括多晶硅层、形成于该多晶硅层上的多晶硅－金属层间绝缘膜、以及形成于该多晶硅－金属层间绝缘膜上的第一金属布线层。该半导体晶片包括形成于该划片线的切片区域上的工艺监测电极焊盘。该工艺监测电极焊盘的宽度大于该切片区域的宽度。该工艺监测电极焊盘包括形成于该多晶硅－金属绝缘膜内用于将该第一金属布线层连接到该多晶硅层的接触孔。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 划片 划分 半导体 芯片 形成 线上 工艺 监测 电极 晶片 | ||
【主权项】：
1.一种半导体晶片，具有将所述半导体晶片划分为多个半导体芯片的矩阵的划片线，所述半导体晶片包括多晶硅层、形成于所述多晶硅层上的多晶硅-金属层间绝缘膜、以及形成于所述多晶硅-金属层间绝缘膜上的第一金属布线层，所述半导体晶片的特征在于包括：形成于所述划片线的切片区域上的工艺监测电极焊盘，所述工艺监测电极焊盘的宽度大于所述切片区域的宽度，所述工艺监测电极焊盘包括形成于所述多晶硅-金属绝缘膜内用于将所述第一金属布线层连接到所述多晶硅层的接触孔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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