[实用新型]晶圆表面淀积层生长装置

摘要

本实用新型公开一种晶圆表面淀积层生长装置，其是一种晶圆制程装置，包括气体分离器，设置在气体分离器下方的加热带，射频(RF)带，底座及设置在底座上的固定块；晶圆放置在加热带上，气体分离器用于产生在晶圆表面生成淀积层所需的气体，射频带连接在固定块与加热带之间，该装置还包括设置在射频带外部的防护罩，其是一个封闭腔体，可以完全封闭射频带。与现有技术相比，本实用新型的防护罩可以完全封闭射频带，从而防止气体分离器产生的气体腐蚀射频带，增加射频带的寿命，不用频繁检查射频带，从而有效提高了生产效率并降低了制造成本。

主权项

1.一种晶圆表面淀积层生长装置，包括用于产生在晶圆表面生成淀积层所需气体的气体分离器，设置在气体分离器下方的加热带，射频带，底座及设置在底座上的固定块；晶圆放置在加热带上，射频带连接在固定块与加热带之间，其特征在于，该装置还包括设置在射频带外部的防护罩，其是一个封闭腔体，可以完全封闭射频带。