[发明专利]一种非晶碳膜半导体制备方法

摘要

本发明涉及一种非晶碳膜半导体制备方法，属于非晶碳薄膜材料制备技术领域。该方法通过(1)在衬底上淀积氢化非晶碳(a－C:H)薄膜、(2)氢等离子体化学退火处理、(3)重复步骤(1)和(2)形成氢等离子体逐层化学退火处理的氢化非晶碳膜、(4)氮等离子体表面掺杂——通入氨气(NH₃)各步骤，制成本发明的非晶碳膜半导体。本发明整个制备过程无需昂贵设备技术、操作简单、有利于大规模生产，几乎没有面积的限制，有很好的可控性与重复性，避免了湿法技术带来的表面污染等问题。

主权项

1.一种非晶碳膜半导体制备方法，包括以下步骤：1)在衬底上淀积氢化非晶碳薄膜——(1-1)、在平板电容型射频等离子体增强化学汽相淀积设备中，将衬底材料放置在接地的阳极电极上；(1-2)、通入甲烷和氢气的混合气体作为反应气体；(1-3)、控制混合气体的混合比例CH4/H2为1-5，直至形成15-25纳米的非晶碳薄膜；2)、氢等离子体化学退火处理——通入氢气，用氢等离子体进行表面处理，得到所需化学构型的碳薄膜；3)重复以上步骤1)和2)，形成氢等离子体逐层化学退火处理的氢化非晶碳膜；4)氮等离子体表面掺杂——通入氨气，利用氮等离子体对淀积的薄膜表面进行掺杂处理，构成C-N-H键合组态，制成所需非晶碳膜半导体。