[发明专利]固态成像器件及其驱动方法无效
| 申请号： | 200610159277.4 | 申请日： | 2006-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN1941397A | 公开（公告）日： | 2007-04-04 |
| 发明（设计）人： | 工藤弘仪;打矢聪;山本淳一;二村文章 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/148 | 分类号： | H01L27/148 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 孙志湧;陆锦华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种固态成像器件，包括：N型半导体衬底；位于N型半导体衬底的表面部分中的N型杂质区；形成在N型杂质区中的光电转换单元；与光电转换单元接触地形成在N型杂质区中的电荷积累单元，用于临时积累在光电转换单元产生的电荷；与电荷积累单元接触地形成在N型杂质区中的电荷保持区，即阻挡单元，其允许电荷积累单元积累电荷；以及提供给电荷积累单元的电荷积累电极。电荷积累单元和电荷保持区形成为N－型。 | ||
| 搜索关键词： | 固态 成像 器件 及其 驱动 方法 | ||
【主权项】：
1.一种固态成像器件，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底的表面部分中的第一导电类型的杂质区；形成在所述杂质区中的光电转换单元；与所述光电转换单元接触地形成在所述杂质区中的电荷积累单元，用于临时积累在所述光电转换单元中产生的电荷，所述电荷积累单元具有所述第一导电性；与所述电荷积累单元接触地形成在所述杂质区中的阻挡单元，其使所述电荷积累单元积累所述电荷，所述阻挡单元具有所述第一导电性；以及提供给所述电荷积累单元的第一电极。
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- 2013-07-29 - 2022-01-14 - H01L27/148
- 本揭露涉及包含具有硼层的硅衬底的光阴极。在具有相对所照射(顶部)表面和输出(底部)表面的单晶硅衬底上形成光阴极。为防止所述硅氧化，使用使氧化和缺陷降到最低的方法将薄(例如，1nm到5nm)硼层直接安置于所述输出表面上，并且然后在所述硼层上方形成低功函数材料层以增强光电子的发射。所述低功函数材料包含碱金属(例如，铯)或碱金属氧化物。在所述所照射(顶部)表面上形成可选第二硼层，并在所述硼层上形成可选抗反射材料层以增强光子进入所述硅衬底中。在所述相对所照射(顶部)表面与输出(底部)表面之间产生可选外部电位。所述光阴极形成新颖传感器和检查系统的一部分。
- 基于石墨烯电荷耦合器件的辐射探测器-202110784034.4
- 徐杨;董云帆;吕建杭;刘亦伦;俞滨 - 浙江大学
- 2021-07-12 - 2021-11-16 - H01L27/148
- 本发明公开了一种基于石墨烯电荷耦合器件的辐射探测器，由若干像素组成阵列，单个像素包括栅极、半导体衬底、绝缘层、源极、漏极、石墨烯薄膜和隔离。辐射粒子由背部入射后被半导体衬底吸收，产生与入射能量成正比的电子空穴对，其中少子积累到由脉冲栅压产生的深耗尽势阱中，石墨烯耦合出与势阱中空穴对应的等量电子，通过监测石墨烯电流读出势阱中的载流子数量，像素间设有隔离防止串扰。由于石墨烯薄膜的特殊性质，其通过电容性耦合有效收集载流子，产生的电流信号直接从单个像素结构输出，实现随机无损读出，无需采用传统电荷耦合器件的像素之间横向转移电荷方式，且石墨烯本身具有增益效应，从而提高辐射探测灵敏度和探测极限。
- 一种具备快速泄放信号功能的CCD-201810026730.7
- 杨洪;白雪平;姜华南 - 中国电子科技集团公司第四十四研究所
- 2018-01-11 - 2021-11-16 - H01L27/148
- 本发明属于半导体器件技术领域，主要涉及一种具备快速泄放信号功能的CCD，包括硅衬底，所述硅衬底上邻近设置有转移区和光敏区，其特征在于：所述转移区范围内的硅衬底表面上设置有多晶硅转移栅，多晶硅转移栅表面覆盖有遮光层，遮光层表面淀积有回流层，所述回流层将光敏区覆盖；所述遮光层采用难熔金属或难熔金属合金制作，还包括快速泄放区、以及水平信号通道区，所述快速泄放区设置于光敏区与水平信号通道区之间，本发明利用CCD设置的快速泄放区消除行信号，实现CCD具备开窗功能，减少CCD传送及计算机需要处理的图像信息量，提高CCD帧频。
- 电子倍增电荷耦合器件倍增寄存器防杂散信号干扰结构-201910361814.0
- 王小东;汪朝敏;白雪平 - 中国电子科技集团公司第四十四研究所
- 2019-04-30 - 2021-11-16 - H01L27/148
- 本发明涉及电子倍增电荷耦合器件，特别涉及一种电子倍增电荷耦合器件倍增寄存器的防杂散信号干扰结构，电子倍增电荷耦合器件为传统帧转移结构，包括光敏区、储存区、水平寄存器、倍增寄存器和输出放大器，其中光敏区与储存区连接，储存区上设置有水平寄存器，水平寄存器、倍增寄存器的一端连接，倍增寄存器的另一端与输出放大器连接；水平寄存器、倍增寄存器和输出放大器的周边外围设置有一层N型掺杂的杂散信号收集区；本发明可有效收集和处理掉场区的杂散电子和其它非理想因素耦合的噪声电子，有利于减小电荷耦合器件的读出噪声，尤其对电子倍增电荷耦合器件更为明显。
- 光检测装置-202110848441.7
- 陈书履;陈建宇;郑斯璘;那允中;杨闵杰;刘汉鼎;梁哲夫 - 奥特逻科公司
- 2019-02-22 - 2021-10-22 - H01L27/148
- 本发明提供一种光检测装置，该光检测装置包括半导体衬底。第一锗基光吸收材料由半导体衬底支撑并且被配置成吸收具有大于800nm的第一波长的第一光信号。第一金属线被电耦合到第一锗基光吸收材料的第一区。第二金属线被电耦合到第一锗基光吸收材料的第二区。第一区是未掺杂的或被掺杂有第一类型的掺杂剂。第二区被掺杂有第二类型的掺杂剂。第一金属线被配置成控制在第一锗基光吸收材料内部产生以由第二区收集的第一类型的光生载流子的量。
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
