[发明专利]半导体处理用的立式晶舟及立式热处理装置无效

专利信息
申请号: 200610156580.9 申请日: 2006-12-28
公开(公告)号: CN1992192A 公开(公告)日: 2007-07-04
发明(设计)人: 谷裕一 申请(专利权)人: 东京毅力科创株式会社
主分类号: H01L21/673 分类号: H01L21/673;H01L21/67;H01L21/324;H01L21/22;H01L21/00;F27D5/00;F27B17/00
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司 代理人: 龙淳
地址: 日本国*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 半导体处理用的立式晶舟,在对多个被处理基板实施热处理时搭载多个被处理基板。立式晶舟包括在圆周方向上留有间隔地被固定在固定部件上的多个支柱、及在高度方向留有间隔地被分别配设在多个支柱上的爪部。配设有分别支撑多个被处理基板用的若干环状支撑板,而各个环状支撑板又被对应于多个支柱的同等高度上的若干爪部所保持。环状支撑板具有朝向中心,向下方倾斜的上面。设定上面倾斜度使之在热处理时,上面与各被处理基板的底面实现面接触,并与热处理时所产生的被处理基板的变形相匹配。
搜索关键词: 半导体 处理 立式 热处理 装置
【主权项】:
1.一种半导体处理用的立式晶舟,用于在对多个被处理基板实施热处理时搭载所述多个被处理基板,其特征在于,包括:固定部件;沿圆周方向留有间隔地固定在所述固定部件上的多个支柱;在高度方向上留有间隔地分别配设在所述多个支柱上的爪部;和用于分别支撑所述多个被处理基板的多个环状支撑板,而各环状支撑板被在所述多个支柱的同等高度位置上相对应的多个爪部所保持,其中,所述环状支撑板具有朝向中心、向下方倾斜的上面,而且设定所述上面的倾斜度使得在所述热处理时,所述上面与各被处理基板的底面实现面接触,并且与在所述热处理时所产生的所述被处理基板的变形相匹配。
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