[发明专利]半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 200610143137.8 | 申请日： | 2006-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN1959985A | 公开（公告）日： | 2007-05-09 |
| 发明（设计）人： | 刘学锋;R·M·拉塞尔;金成东;D·D·库尔鲍;A·J·约瑟夫;L·D·兰泽若蒂 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L21/82 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 于静;刘瑞东 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种结构包括单晶片，具有在第一厚度的第一区域中形成的第一子集电极和在与第一厚度不同的第二厚度的第二区域中形成的第二子集电极。还旨在提供一种方法，该方法包括提供包括第一层的衬底并且在第一层中形成第一掺杂区域。该方法还包括在第一层上形成第二层并且在第二层中形成第二掺杂区域。第二掺杂区域以不同于第一掺杂区域的深度形成。该方法还包括在第一层中形成第一通孔并且在第二层中形成第二通孔以连接第一通孔到表面。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种结构，包括单晶片，具有在第一厚度的第一区域中形成的第一子集电极和在与所述第一厚度不同的第二厚度的第二区域中形成的第二子集电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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