[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

本发明提供一种抑制栅电极和虚拟栅电极之间产生短路的半导体装置及其制造方法。进行下述工序：在半导体基板(1)上夹持栅极绝缘膜(3a)而形成栅电极(4a)、夹持虚拟栅极绝缘膜(3b)而形成虚拟栅电极(4b)、夹持元件分离用绝缘膜而形成虚拟栅电极(4c)的工序；在栅电极(4a)露出且虚拟栅电极(4b)、(4c)没有露出的状态下在半导体基板(1)上形成金属膜的工序；和对半导体基板(1)实施热处理且对栅电极(4a)的至少上部进行硅化物化的工序。由于栅电极(4a)被硅化物化，但虚拟栅电极(4b)、(4c)没有被硅化物化，因此抑制产生栅电极(4a)和邻接的虚拟栅电极(4b)之间的短路。

主权项

1、一种半导体装置，其特征在于，具备：半导体基板；MIS晶体管，此MIS晶体管具有设置在所述半导体基板上的栅极绝缘膜、和在所述栅极绝缘膜之上至少上部被硅化物化的栅电极；和虚拟晶体管，此虚拟晶体管具有设置在所述半导体基板的上方且没有被硅化物化的由硅构成的虚拟栅电极。