[发明专利]半导体元件及其操作方法

摘要

一种半导体元件的操作方法，适用于操作单一芯片上耦接的高压元件与控制电路。高压元件包括了源极、漏极与栅极。此操作方法是先于栅极与源极为浮置的状态下，施加漏极电压于漏极，使高压元件自行开启，其中漏极电压约大于20伏特，且漏极至源极的电流充电源极。此源极的电压是作为控制电路的电源，当源极电压大于控制电路的启始电压，即驱动控制电路。

主权项

1.一种半导体元件，设置于单一芯片上，包括：第一型基底；以及高压元件，设置于该第一型基底上，包括：第二型阱，设置于该第一型基底中，且该第二型阱的掺杂物浓度约大于1015/立方厘米；第一型主体区，设置于该第二型阱一侧的该第一型基底中，与该第二型阱分离；第二型源极，设置于该第一型主体区内；第二型漏极，设置于该第二型阱内；隔离结构，设置于该第二型源极与该第二型漏极之间的该第一型基底中，且位于该第二型阱上；第一型顶层，设置于该第二型阱顶部、较靠近该第一型主体区一侧的该第一型基底中，且该第一型顶层位于该隔离结构下方；以及第一栅极，设置于该第二型源极与该第一型顶层之间的该第一型基底上。