[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200610105521.9 | 申请日： | 2006-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN1901194A | 公开（公告）日： | 2007-01-24 |
| 发明（设计）人： | 平濑顺司;柁谷敦宏 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/04 | 分类号： | H01L27/04;H01L29/78;H01L21/822;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种不使栅极绝缘膜劣化，而提高了载流子移动性的MISFET。在MISFET中，对栅电极(5)中的设置在元件分离区域上的部分(25a)导入使晶格常数变化的杂质。以栅电极(5)的部分(25)为起点，对沟道区域施加使载流子移动性提高的方向的应力。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体装置，具有：形成了活性区域的基板；形成在所述基板上，包围所述活性区域的元件分离区域；形成在所述活性区域上的栅极绝缘膜；从所述栅极绝缘膜上跨过所述元件分离区域上而设置的栅电极；形成在所述活性区域中的位于所述栅电极两侧方的区域，并包含具有导电型的第一杂质的杂质扩散区域，所述栅电极具有位于所述元件分离区域上的第一部分和位于所述活性区域上的第二部分，所述栅电极的所述第一部分包含比所述栅电极的所述第二部分大的应力。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
