[发明专利]双频率偏压化学气相沉积室和用其制造光掩模的方法

摘要

本发明公开了一种适于光掩模制造中的工艺集成的方法和设备。在一个实施例中，适于光掩模制造中的工艺集成的组合工具包括真空转移室，该真空转移室具有耦合到其上的至少一个硬掩模沉积室和至少一个配置来刻蚀铬的等离子体室。在另一个实施例中，用于光掩模制造中的工艺集成的方法包括：在第一处理室中在衬底上沉积硬掩模；在衬底上沉积光抗蚀剂层；图案化光抗蚀剂层；在第二处理室中通过形成在图案化光抗蚀剂层中的孔隙刻蚀硬掩模；以及在第三处理室中通过形成在硬掩模中的孔隙刻蚀铬层。

主权项

1.一种化学气相沉积室，包括：室主体；布置在所述室主体的内部空间中的衬底支撑；嵌入所述衬底支撑中的电极；耦合到所述电极的第一RF功率源；耦合到所述电极的第二RF功率源；布置在所述室主体的所述内部空间中的喷淋头；和耦合到所述喷林头的第三RF功率源。