[发明专利]Ⅲ族氮化物半导体基板有效
| 申请号： | 200610100281.3 | 申请日： | 2006-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN1964088A | 公开（公告）日： | 2007-05-16 |
| 发明（设计）人： | 吉田丈洋 | 申请（专利权）人： | 日立电线株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/02;C30B29/38;H01S5/00 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人： | 钟晶 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供确保基板加热时的面内匀热性及基板操作容易的III族氮化物半导体基板。在作为III族氮化物半导体基板的GaN基板(1)的外周形成OF部(2)。GaN基板(1)的III族极化面(4)外周侧的倒角部(6)为GaN基板(1)的圆弧部，在OF部(2)没有倒角。GaN基板(1)氮极化面(5)侧外周的倒角部(7)，形成于GaN基板(1)的包括OF部(2)的整个外周，倒角部(7)的倒角角度θ2为大于30°且小于等于60°。通过将氮极化面(5)侧倒角部(7)的倒角角度θ子等抓起GaN基板(1)，且扩大外延生长时与基座接触的氮极化面(5)面积，从而基板加热时面内匀热性良好。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 | ||
【主权项】：
1.一种III族氮化物半导体基板，其为在基板圆弧部的III族极化面和氮极化面的两面侧具有倒角的III族氮化物半导体基板，其特征在于，所述氮极化面侧的倒角，是在所述基板的包括配向平面部的整个外周以大于30°且小于等于60°的角度实施的倒角。
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