[发明专利]高功率金属氧化物半导体元件无效
| 申请号： | 200610099188.5 | 申请日： | 2006-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN1964071A | 公开（公告）日： | 2007-05-16 |
| 发明（设计）人： | 伍佑国;陈富信;蒋柏煜;姜安民 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/04 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 台湾省新竹市新*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是有关于一种高功率金属氧化半导体元件，包括一P型基极区域，此P型基极区域具有N+型源极且在施以电负载时其偏压与P型基材不同。在一实施例中，使用NPN配置的LDMOS元件，而且其元件源极与基层接点耦接以防止产生NPN寄生元件。P型基极区域形成在N型井内，此N型井将基极区域与P形基材以及环绕的P型井隔开。高掺杂的N+型埋藏层隔开N型井与P型基材，以防止垂直电击穿。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 金属 氧化物 半导体 元件 | ||
【主权项】：
1、一种高功率金属氧化物半导体元件，其特征在于其包括：一第一类型的半导体基材；一第一类型的第一井，由该半导体基材表面向下延伸；一第二类型的第二井，被该第一井侧向包围且被该半导体基材从下方包覆；一元件汲极，形成在该第二井内；一闸极介电质，形成在该第二井之上，且一闸极电极形成于该闸极介电质之上，以作为一元件闸极；一第一类型的基极区域，形成在该第二井内，且与该第一井和该半导体基材互相隔开；以及一元件源极形成在该基极区域内，且电性耦接至一第一接点以连接该基极区域。
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