[发明专利]灰色调掩模的缺陷校正方法无效

专利信息
申请号: 200610092202.9 申请日: 2004-04-01
公开(公告)号: CN1869810A 公开(公告)日: 2006-11-29
发明(设计)人: 中山宪治 申请(专利权)人: HOYA株式会社
主分类号: G03F1/08 分类号: G03F1/08;G02F1/136;G02F1/1333;G03F7/20;H01L21/00
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 代理人: 李辉
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供一种灰色调掩模的缺陷校正方法。用于对灰色调掩模的灰色调部的缺陷进行校正,该灰色调掩模具有遮光部(1)、透光部(2)、以及成为形成了在使用灰色调掩模的曝光机的极限分辨率以下的遮光图形(3a、3b)的区域并以通过减少透过该区域的光的透光量来选择性地改变光致抗蚀膜的膜厚为目的的灰色调部(3),其特征在于:当上述灰色调部发生黑缺陷时,通过对上述黑缺陷的全部区域或一部分区域或者包含黑缺陷的区域进行蚀刻来减少膜厚,以形成使上述灰色调部可达到与正常的灰色调部同等的灰色调效果的膜厚。由此可比较容易地对灰色调部进行高精度的校正。
搜索关键词: 色调 缺陷 校正 方法
【主权项】:
1.一种灰色调掩模的制造方法,该灰色调掩模具有:遮光部、透光部、以及灰色调部,该灰色调部为形成了在使用灰色调掩模的曝光机的极限分辨率以下的遮光图形的区域,并以减少透过该区域的光的透光量从而选择性地改变光致抗蚀膜的膜厚为目的,其特征在于:该灰色调掩模的制造方法包括灰色调掩模的校正工序,该校正工序为,当上述灰色调部发生黑缺陷时,通过聚焦离子束进行蚀刻,使上述黑缺陷的全部区域或一部分区域或者包含黑缺陷的区域的膜厚降低,以形成使上述灰色调部可达到与正常的灰色调部同等的灰色调效果的膜厚。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于HOYA株式会社,未经HOYA株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200610092202.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。

同类专利
  • 光掩膜的制作方法-201010168183.X
  • 杨志刚 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2010-05-06 - 2011-11-09 - G03F1/08
  • 一种光掩膜的制作方法,首先提供石英基板,在所述石英基板上依次形成二元硅化钼膜、铬金属膜以及光刻胶层;图案化所述光刻胶层;以所述光刻胶层为保护层,刻蚀所述铬金属膜至露出所述二元硅化钼膜;去除所述光刻胶层;以铬金属膜作为保护层,刻蚀所述二元硅化钼膜至露出所述石英基板;量测硅化钼膜图案化后的铬金属膜图形的关键尺寸,并以所述铬金属膜为保护层对二元硅化钼膜进行补偿刻蚀;去除所述铬金属膜。此方法可在所述硅化钼膜刻蚀后根据硅化钼膜图形的关键尺寸与目标值的差异对硅化钼膜再次进行合适的刻蚀修复,避免了因硅化钼膜的关键尺寸未达标而直接报废光掩膜。
  • 铬版多余铬点的修补方法-201110101823.X
  • 庄奎乾;崔兴永;石孟阳 - 深圳市科利德光电材料股份有限公司
  • 2011-04-21 - 2011-08-31 - G03F1/08
  • 本发明公开了一种铬版多余铬点的修补方法。该铬版多余铬点的修补方法包括:步骤a,清洗并干燥待修补的铬版;步骤b,使用显微镜观察该铬版多余铬点的位置;步骤c,将刻蚀液滴至该铬版多余铬点的位置以刻蚀该铬版多余铬点;步骤d,清除该刻蚀液,再次清洗并干燥该铬版。本发明能够利用刻蚀液有效地修补铬版多余铬点且对铬版的玻璃基片无损伤,修补方法安全方便,成本较低且保证铬版图形显示正常。
  • 光掩模坯体、光掩模及其制造方法、以及半导体器件的制造方法-200980138311.1
  • 桥本雅广;小凑淳志 - HOYA株式会社
  • 2009-09-30 - 2011-08-24 - G03F1/08
  • 本发明的目的在于,使用于制作ArF准分子激光曝光用光掩模的光掩模坯体,能够应用于半导体设计规则中从DRAM半节距(hp)32nm起的下一代。作为解决方案的是一种光掩模坯体,其用于制作采用了波长200nm以下的曝光光的光掩模,所述光掩模坯体的特征在于,具有:透光性基板;遮光膜,其形成在透光性基板上,并含有钼及硅;以及蚀刻掩模膜,其形成在该遮光膜上并与其接触,并含有铬,所述遮光膜从所述透光性基板侧起依次具有遮光层和防反射层,所述遮光层的钼含量为9%原子百分比以上40%原子百分比以下,所述蚀刻掩模膜的铬含量为45%原子百分比以下。
  • 光掩模坯、光掩模以及光掩模制造方法-201010298454.3
  • 谷典明;中村久三;清田淳也;铃木寿弘;三村寿文 - 株式会社爱发科
  • 2010-09-29 - 2011-04-27 - G03F1/08
  • 本发明提供一种不附着颗粒的光掩模及其制造方法。在相移层(11)上层叠粘接层(12)、刻蚀停止层(13)、遮光层(14),在利用刻蚀液部分地对遮光层(14)进行刻蚀时,利用刻蚀停止层(13)阻止刻蚀的进行,然后,利用氧等离子体除去在遮光层(14)上形成的开口底面的刻蚀停止层。用抗蚀剂覆盖成为相移区域的开口(24),利用刻蚀液除去成为透光区域的开口底面的相移区域(11)。由残留有遮光层(14)的部分形成遮光区域,得到光掩模。将各层(11)~(14)全部形成之后,进行使用了刻蚀液的刻蚀,所以,不存在颗粒的附着。
  • 光掩膜的制作方法-200910055943.3
  • 杨志刚 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2009-08-05 - 2011-03-23 - G03F1/08
  • 本发明公开了一种光掩膜的制作方法,所述光掩膜包括石英基板、以及依次镀在石英基板上的相位偏移膜及铬金属膜,该方法还包括:对铬金属膜进行不同层铬金属光掩膜图形的图案化后,分别独立地将不同层的相位偏移光掩膜图形图案化到同一片石英基板的相位偏移膜上;去除铬金属膜。该方法在同一片石英基板上制作晶圆衬底上不同层曝光所需的光掩膜图形。
  • 蚀刻方法和光掩模坯料的加工方法-201010270048.6
  • 五十岚慎一;稻月判臣;金子英雄;吉川博树;木名濑良纪 - 信越化学工业株式会社
  • 2010-05-14 - 2011-02-09 - G03F1/08
  • 本发明披露了一种对形成于衬底上的加工层的干蚀刻方法,包括步骤:在形成于衬底上的加工层上形成硬掩模层,在该硬掩模层上形成抗蚀剂图形,通过使用该抗蚀剂图形而实施的第一干蚀刻将该抗蚀剂图形转移至所述硬掩模层,并且通过使用以上转移至所述硬掩模层得到的硬掩模图形而实施的第二干蚀刻对所述加工层进行图形化,其中通过所述第一干蚀刻对所述硬掩模层进行图形化后,在所述第一干蚀刻已经实施过的蚀刻装置中,通过改变干蚀刻气体中副成分的浓度而不改变干蚀刻气体中主成分的浓度,利用所述第二干蚀刻对所述加工层进行图形化。
  • 相移掩膜的制造方法、平板显示器的制造方法和相移掩膜-201010215138.5
  • 影山景弘;中村大介 - 爱发科成膜株式会社
  • 2010-06-29 - 2011-01-05 - G03F1/08
  • 本发明提供一种相移掩膜的制造方法、平板显示器的制造方法和相移掩膜,通过其可以形成细小而高精度的曝光图案。本发明的第一实施方式中所述的相移掩膜(1)具有相移层(13P1),其可使任何一种波长在300nm以上500nm以下范围内的光产生180°的相位差。因此,将上述波长范围内的光用作进行曝光处理的光,由于在相移层处光的相位发生反转所以会形成光强度最小的区域,使曝光图案更加清楚。在混合有40%以上90%以下的氮化气体和10%以上35%以下的氧化气体的环境中,使由铬系材料制成的靶产生溅射而形成相移层(13P)。
  • 掩模坯体、掩模坯体的产生方法以及掩模的产生方法-200880123166.5
  • 小川巧;仓林章;平元豪 - 爱发科成膜株式会社
  • 2008-12-22 - 2010-12-08 - G03F1/08
  • 一种掩模坯体,其可以形成高分辨率的转印图案而不会发生形状缺陷。掩模坯体(10)包括透明基片(11)、设置在所述透明基片(11)上的待蚀刻层(14)、设置在所述待蚀刻层(14)上并且利用第一化学增幅抗蚀剂形成的抑制层(20)、以及设置在所述抑制层(20)上并且利用第二化学增幅抗蚀剂形成的掩模层(15)。掩模层(15)用于在接收曝光时使用所述第二化学增幅抗蚀剂产生酸,并且改变掩模层(15)相对显影液体的可溶性。抑制层(20)用于在接收通过掩模层(15)的曝光时使用所述第一化学增幅抗蚀剂产生酸,并且获得掩模层(15)相对显影液体的不溶性。
  • 四级光掩模及其使用方法以及光掩模坯料-201010202441.1
  • 佐野道明 - HOYA株式会社
  • 2007-02-16 - 2010-10-20 - G03F1/08
  • 公开了一种四级光掩模及其使用方法以及四级光掩模制造用光掩模坯料。所述四级光掩模包括遮光部分、光透射部分及分别具有不同的透光率的第一光半透射部分和第二光半透射部分,并在转印目标上形成厚度阶段性地或连续地变化的抗蚀图案,所述四级光掩模的特征在于,所述第一光半透射部分通过在透明衬底的表面上设置光半透射性的第一光半透射膜而构成,所述第二光半透射部分通过在所述透明衬底的表面上设置光半透射性的第二光半透射膜而构成,所述第二光半透射部分和所述第一光半透射部分的曝光光的透光率不同,所述遮光部分通过在所述透明衬底的表面上层叠所述第一光半透射膜、遮光膜及所述第二光半透射膜而构成。
  • 防静电光罩-201020301094.3
  • 杜武兵 - 深圳市路维电子有限公司
  • 2010-01-20 - 2010-10-13 - G03F1/08
  • 本实用新型公开一种防静电光罩,包括覆盖有金属铬层的苏打玻璃,所述金属铬层蚀刻有光罩图形,绕该光罩边缘的金属铬层表面设置有一放电环,该放电环通过设置在所述金属铬层的静电导引线连接到光罩图形,而该放电环的首尾通过两组相对设置的放电端子对接,每组放电端子由若干以预设的间隔并排设置的放电端子构成。本实用新型可大大节省放静电光罩的防静电设备和成本。
  • 半色调掩模、半色调掩模坯料及制造半色调掩模的方法-200880114579.7
  • 影山景弘;山田文彦 - 爱发科成膜株式会社
  • 2008-10-29 - 2010-09-22 - G03F1/08
  • 一种增加蚀刻停止层通用性的半色调掩模。所述半色调掩模(10)具有使用玻璃基板(S)的透光部分(TA);包括形成在所述玻璃基板上的第一半透光层(11)的第一半透光部分(HA);以及包括所述第一半透光层、叠加在所述第一半透光层上方的挡光层(13)和形成在所述第一半透光层与所述挡光层之间的蚀刻停止层(12)的挡光部分(PA)。所述第一半透光层和所述挡光层各自由铬或从由铬的氧化物、氮化物、碳化物、氧氮化物、氧碳化物、碳氮化物及氧碳氮化物组成的组中选择的至少一种形成。所述蚀刻停止层包括从由铁(Fe)、镍(Ni)和钴(Co)组成的组中选择的至少一种的第一元素及从由铝(Al)、硅(Si)、钛(Ti)、铌(Nb)、钽(Ta)、铪(Hf)和锆(Zr)组成的组中选择的至少一种的第二元素。
  • 多色调光掩模评价方法-201010126137.3
  • 吉田光一郎;田中淳一 - HOYA株式会社
  • 2010-02-26 - 2010-09-01 - G03F1/08
  • 本发明提供一种多色调光掩模评价方法。针对多色调光掩模的转印图案,取得在曝光条件下的空间图像数据,针对该空间图像数据,确定预定的实效透射率的阈值。然后,使用所述阈值对所述空间图像数据进行二值化,使用该二值化后的空间图像数据来评价所述转印图案。
  • 光罩掩模-200920208081.9
  • 舒强;顾一鸣 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2009-08-18 - 2010-08-25 - G03F1/08
  • 本实用新型的光罩掩模包括不透明区域和透明区域,所述透明区域包围不透明区域。本实用新型的光罩掩模将不透明区域设置在中间,透明区域包围不透明区域,符合仅仅遮蔽光罩中间部分的实际需要;不透明区域其大小、位置和形状可根据实际情况作调整,使得光罩掩模的适用性强。
  • 掩模板-200920317147.8
  • 车炯坤;崔成晋 - 四川虹视显示技术有限公司
  • 2009-12-11 - 2010-08-18 - G03F1/08
  • 本实用新型提供一种掩模板,包括石英玻璃板、设置在石英玻璃板上的镀有Cr图形的玻璃板和设置在玻璃板上的紫外光固化胶。本实用新型由于采用玻璃和石英玻璃两层结构组成的掩模板,在封装不同规格的OLED产品时,只需要更换镀有Cr图形的玻璃层,不需要打开封装腔门,从而可以防止腔体内部污染,提高良品率,减少了更换产品规格的时间,同时节省了石英玻璃材料,降低了掩模板的成本;同时由于可将小尺寸的OLED基板粘贴在玻璃板上,使得小尺寸的OLED基板通过和镀有Cr图形的玻璃板附着,来实现在大尺寸要求的设备上进行封装。
  • 掩模坯体以及压印用模具的制造方法-200880108918.0
  • 佐藤孝;暮石光浩 - HOYA株式会社
  • 2008-09-26 - 2010-08-18 - G03F1/08
  • 本发明提供一种使用掩模坯体而形成有高精度细微图案的压印用模具的制造方法。在透光性基板上具有用于形成图案的薄膜的掩模坯体中,薄膜由上层和下层构成,上层由包含铬(Cr)和氮的材料形成,下层由包含以钽(Ta)为主要成分的化合物,并且能够通过使用了氯系气体的干蚀刻处理进行蚀刻加工的材料形成。通过使用了实质上不包含氧的氯系气体的干蚀刻处理对薄膜的上层和下层进行蚀刻加工,接着通过使用了氟系气体的干蚀刻处理对基板进行蚀刻加工,由此得到压印用模具。
  • 一种用于200nm以下线宽超衍射光刻的硅掩模及其制作方法-200910241920.1
  • 方亮;王长涛;罗先刚;潘丽;刘尧;刘玲;邢卉;刘凯鹏 - 中国科学院光电技术研究所
  • 2009-12-15 - 2010-06-09 - G03F1/08
  • 一种用于200nm以下线宽超衍射光刻的硅掩模及其制作方法,该掩模由紫外透明材料基片上的硅膜作为图形层。其制作方法是:首先在基片上加工一定厚度的硅膜,使其对紫外光的透过率在5%以内;然后在硅膜表面加工一层薄的铬膜;利用聚焦离子束在铬膜上制备线宽小于200nm的图形;以铬膜层为遮蔽层,通过反应离子束刻蚀硅膜,使铬膜上的图形转移至硅膜上;最后用去铬液腐蚀掉残留的铬膜,制成分辨率高、图形层深度大的实用硅掩模。该硅掩模和加工方法解决了聚焦离子束难以制作图形层深度大、线宽小于200nm的铬掩模的技术困难,在纳米光刻技术中具有广阔的应用前景。
  • 灰色调掩模版、灰色调掩模及其制造方法-200910252635.X
  • 田边胜;三井胜 - HOYA株式会社
  • 2005-06-22 - 2010-05-26 - G03F1/08
  • 提供一种通过修正透光性基板表面上的凹陷缺陷来防止产生复制图形缺陷及掩模图形缺陷的掩模版用透光性基板、掩模版以及曝光用掩模的制造方法、以及曝光用掩模的缺陷修正方法。在透光性基板1上形成构成复制图形的掩模图形2的曝光用掩模上,用针状件4去除尚未形成掩模图形2的基板表面1a上的足以引起产生复制图形缺陷的透光量下降的凹陷缺陷3的周边部分,实施减少基板表面与凹陷缺陷的深度之间的阶差的修正。此外,在透光性基板上形成掩模图形形成用的薄膜之前的阶段内进行上述凹陷缺陷修正。使用实施了凹陷缺陷修正的透光性基板制造出掩模版、曝光用掩模。
  • 掩模板-200920308598.5
  • 车炯坤;崔成晋 - 四川虹视显示技术有限公司
  • 2009-08-24 - 2010-05-19 - G03F1/08
  • 本实用新型提供一种掩模板,使用该掩模板进行OLED封装保护时,不需要打开封装腔门就可更换不同规格的掩模板。掩模板,包括石英玻璃板和设置在石英玻璃板上的镀有Cr图形的玻璃板。本实用新型由于采用玻璃和石英玻璃两层结构组成的掩模板,在封装不同规格的OLED产品时,只需要更换镀有Cr图形的玻璃层,不需要打开封装腔门,从而可以防止腔体内部污染,提高良品率,减少了更换产品规格的时间,同时节省了石英玻璃材料,降低了掩模板的成本。
  • 灰色调曝光用掩模、使用该掩模的TFT基板的制造方法和具有该TFT基板的液晶显示装置-200910166931.8
  • 樱井洋 - NEC液晶技术株式会社
  • 2009-05-20 - 2010-01-06 - G03F1/08
  • 本发明提供一种曝光用掩模、使用该曝光用掩模的薄膜晶体管基板的制造方法、和由该方法制造的显示良好的液晶显示装置,其中,该曝光用掩模可以提高半膜厚部分的抗蚀剂膜厚的均匀性,降低显示不良,并提高制造成品率。在该曝光用掩模中,在透光性的基板上形成遮光图案,在该遮光图案的至少一部分上,该曝光用掩模具有形成了由曝光机的临界分辨率以下的宽度尺寸的纵长的缝隙状透过图案夹着的所述临界分辨率以下的宽度尺寸的纵长的遮光图案的灰色调区域,所述灰色调区域的遮光率从所述纵长的遮光图案的长边方向端部朝向中央部逐渐减小。
  • 具防止静电破坏的光罩-200910055372.3
  • 于世瑞 - 上海宏力半导体制造有限公司
  • 2009-07-24 - 2009-12-09 - G03F1/08
  • 本发明提出一种具防止静电破坏的光罩,包括多个彼此间隔的金属线,其中,所述相邻两个金属线之间通过至少一金属导线连接,所述金属导线的宽度小于曝光分辨率。本发明提出一种具防止静电破坏的光罩,其能够有效防止静电电荷累积,避免产生静电电荷放电,从而保护光罩。
  • 光刻构图方法-200910147442.8
  • 唐德明 - 唐德明
  • 2009-06-12 - 2009-11-11 - G03F1/08
  • 本发明提供了一种光刻构图方法,其中包括:通过第一放大过程中的数字转换过程,将第一光刻图案转换为第二光刻图案;通过初始光刻过程进行1:1图形转移,制造对应于所述第二光刻图案的第一光刻版;通过第一缩小过程中的第一光刻过程,在透明基板上制造对应于所述第一光刻版的第二光刻版;通过第二缩小过程,使用所述第二光刻版在晶片基板上制造与所述第一光刻图案的尺寸相同的微观图案;其中,所述第一放大过程的放大比例乘以第一缩小过程的缩小比例再乘以第二缩小过程的缩小比例等于一。该方法通过两步光刻过程制造精细光刻版,简化了光刻版的制造过程,降低了生产纳米量级光刻版的成本,且提高了光刻应用的效率。
  • 光掩模用基板以及光掩模和该光掩模的制造方法-200780001862.4
  • 菅原浩幸 - 吉奥马科技有限公司
  • 2007-11-06 - 2009-09-30 - G03F1/08
  • 本发明提供一种通过湿式蚀刻可高精度地形成微细图案的光掩模用基板、光掩模以及该光掩模的制造方法。一种光掩模用基板(2),其具备透明基板(10)、具有半透射性的半透射层(20)、形成于该半透射层(20)上且对照射光实质上遮光的遮光层(33),其中,半透射层(20)由氮化钛(TiNx:在此,0<x<1.33)形成,该氮化钛与遮光层(33)相比,相对于蚀刻液(A)为不溶性或难溶性,并且相对于蚀刻液(B)为易溶性。另一方面,遮光层(33)由金属铬(Cr)形成,该金属铬(Cr)与半透射层(20)相比,相对于蚀刻液(A)为易溶性,并且相对于蚀刻液(B)为不溶性或难溶性。由于各层相对于蚀刻液的蚀刻耐性不同,故可不对其它层造成损伤地选择性地蚀刻半透射层(20)和遮光层(33)。
  • 掩模坯体及转印掩模的制造方法-200780034381.3
  • 桥本雅广 - HOYA株式会社
  • 2007-09-14 - 2009-08-26 - G03F1/08
  • 本发明提供制作半导体设计规则(DRAM hp65nm以下)的转印用掩模时,能够防止抗蚀剂图案的消失,能够防止图案缺陷的掩模坯体、及掩模。其特征在于,该掩模坯体具备用于在基板上成膜的掩模图案的薄膜、和在该薄膜的上方成膜的抗蚀剂膜,通过插入有与所述薄膜和所述抗蚀剂膜接合的附着层,在进行使所述抗蚀剂膜形成为图案的显影时,防止形成为图案的抗蚀剂膜的倒塌。
  • 一种A型胶及采用该A型胶修补铬版白缺陷的方法-200810217297.1
  • 王金木 - 清溢精密光电(深圳)有限公司
  • 2008-11-07 - 2009-04-08 - G03F1/08
  • 本发明涉及一种A型胶,包括下述重量份的原料:金属纳米阻光材料:58%~78%wt,固化剂:20%~40%wt,稀释剂:0.5%~2%wt,玻璃促进剂:0.1%~1%wt,所述金属纳米阻光材料为粉状的金、银、镍、锡或氧化铝中的任一种,所述固化剂为环氧树脂或酚醛树脂,所述稀释剂为甲苯、二甲苯、三甲苯、松节油或樟脑油中的任一种,所述玻璃促进剂为硅胶;还提供了一种采用上述A型胶修补铬版白缺陷的方法。本发明所提供的A型胶及采用该A型胶修补铬版白缺陷的方法,解决了油墨无法修补凹陷及断线、金属修补液修补后不耐弱碱性清洗液清洗以及使用CVD修补无法修补玻璃基板造成的白缺陷的问题,且保证了修补后的黏附力。
专利分类
×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top