[发明专利]半导体元件及其制造方法无效
| 申请号： | 200610077851.1 | 申请日： | 2006-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN101071823A | 公开（公告）日： | 2007-11-14 |
| 发明（设计）人： | 张惠贞;林建廷;许哲华;陈亮玮;李孟麟;萧维沧 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体元件，包括一基底、一层栅介电层、一栅极、一源极/漏极区及一层应力层。其中，栅介电层配置于基底上，而栅极配置于栅介电层上，且栅极的顶部面积大于底部面积。另外，源极/漏极区配置于栅极两侧的基底中，而应力层配置于基底上，并覆盖于栅极与源极/漏极区上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体元件，包括：基底；栅介电层，配置于该基底上；栅极，配置于该栅介电层上，而该栅极的顶部面积大于底部面积；源极/漏极区，配置于该栅极两侧的该基底中；以及应力层，配置于该基底上，并覆盖于该栅极与该源极/漏极区上。
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