[发明专利]影像感测组件的晶圆级封装构造有效
申请号: | 200610063629.6 | 申请日: | 2006-12-27 |
公开(公告)号: | CN101211932A | 公开(公告)日: | 2008-07-02 |
发明(设计)人: | 萧伟民;杨国宾 | 申请(专利权)人: | 日月光半导体制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L23/485;H01L21/60 |
代理公司: | 上海翼胜专利商标事务所 | 代理人: | 翟羽 |
地址: | 中国台湾高雄*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一影像感测组件的晶圆级封装构造,主要包括一影像感测芯片以及若干个金属柱。该影像感测芯片的若干个贯通孔对准并导通至该影像感测芯片的若干个焊垫,所述金属柱形成于所述贯通孔中,所述金属柱的第一端部导接至所述焊垫,所述金属柱的第二端部突出于所述影像感测芯片的背面,且所述金属柱的长度大于所述影像感测芯片的厚度。影像感测芯片通过贯通孔中的金属柱接合至一印刷电路板,以取代现有打线或重分配线路制程,并且在该影像感测芯片与该印刷电路板之间不需点涂底部填充胶来保护金属柱。 | ||
搜索关键词: | 影像 组件 晶圆级 封装 构造 | ||
【主权项】:
1.一影像感测组件的晶圆级封装构造包括一影像感测芯片,所述影像感测芯片包括一主动面和一背面,其中所述主动面包括有一光感测区以及若干个焊垫,其特征在于:所述影像感测芯片还包括有若干个贯通孔,所述贯通孔对准并导通至所述焊垫;所述影像感测芯片还包括有若干个金属柱,所述金属柱形成于所述贯通孔中,其长度大于所述影像感测晶片的厚度,所述金属柱的一第一端部导接至所述焊垫、一第二端部突出于所述影像感测芯片的背面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日月光半导体制造股份有限公司,未经日月光半导体制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200610063629.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:W型铁氧体电磁吸波材料及其制备方法
- 下一篇:构造薄膜镜的方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的