[发明专利]影像感测组件的晶圆级封装构造有效
申请号: | 200610063629.6 | 申请日: | 2006-12-27 |
公开(公告)号: | CN101211932A | 公开(公告)日: | 2008-07-02 |
发明(设计)人: | 萧伟民;杨国宾 | 申请(专利权)人: | 日月光半导体制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L23/485;H01L21/60 |
代理公司: | 上海翼胜专利商标事务所 | 代理人: | 翟羽 |
地址: | 中国台湾高雄*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 影像 组件 晶圆级 封装 构造 | ||
技术领域
本发明涉及一影像感测组件的封装构造,特别涉及一影像感测组件的晶圆级封装构造。
背景技术
为了使电子产品符合多功能性以及外观造型轻巧的消费趋势,半导体封装逐渐趋向WLCSP(晶圆级芯片尺寸封装)的技术发展,晶圆级芯片尺寸封装技术除了封装完成后成品体积较小之外,也大幅增加了产能。然而现有影像感测组件的晶圆级封装构造是以焊球回焊接合至至一基板,并且必要时需在该基板与封装构造之间点涂底部填充胶,以保护焊球不受应力而断裂。
请参阅第1图,现有的一影像感测组件的晶圆级封装构造100,其包括影像感测芯片110、第一胶层120以及第二胶层130,该影像感测芯片110具有主动面111、背面112及若干个侧面113,所述主动面111形成有感测区114及若干个焊垫115。一保护层140形成于所述主动面111且显露出焊垫115,一第一线路层150形成于该保护层140上并电性连接至焊垫115,该第一胶层120覆盖该第一线路层150与保护层140,该第一胶层120的材质为透明材质,其是以压模或印刷等方法形成的,所述第二胶层130形成于该影像感测芯片110的背面112,在该第二胶层130上形成有若干个连接垫160,第二线路层170由该影像感测芯片110的侧面113延伸至第二胶层130,且该第二线路层170电性连接第一线路层150与连接垫160,通过该第一线路层150与该第二线路层170电性连接焊垫115与连接垫160,并且在第二线路层170上形成有一防焊层180,以保护该第二线路层170,所述连接垫143(该143标号,图中未示)上设置有若干个焊球190。然而,当该现有影像感测组件的晶圆级封装构造100的焊球190回焊接合至一基板(未图示)后,在该基板与该些连接垫143间需点涂底部填充胶,以保护焊球190。
发明内容
本发明的主要目的是提供一影像感测组件的晶圆级封装构造,影像感测芯片的若干个贯通孔对准并导通至该影像感测芯片的若干个焊垫,以利于若干个形成于该些贯通孔中的金属柱导接至所述焊垫,该影像感测芯片以该些金属柱接合至一印刷电路板,以取代现有影像感测组件之黏晶及打线制程,不需在影像感测芯片的表面以烦杂制程形成重分配线路,并且也不需在该影像感测芯片与该印刷电路板之间点涂底部填充胶来保护该些金属柱。本发明同时提供一制造该种影像感测组件的晶圆级封装构造的方法。
依据本发明,一影像感测组件的晶圆级封装构造主要包括一个影像感测芯片以及若干个金属柱。该影像感测芯片具有一个主动面、一个背面以及若干个贯通孔,该主动面包括光感测区以及若干个焊垫,所述贯通孔对准并导通至该些焊垫,金属柱形成于贯通孔中,该些金属柱的长度大于影像感测芯片的厚度,金属柱的第一端部导接至该些焊垫,金属柱的第二端部突出于所述背面。
附图说明
第1图:现有技术中一影像感测组件的晶圆级封装构造的截面示意图。
第2图:依据本发明的一具体实施例的一影像感测组件的晶圆级封装构造的截面示意图。
第3图:依据本发明的一具体实施例的影像感测组件的晶圆级封装构造接合于一印刷电路板的截面示意图。
第4A至4H图:依据本发明的一具体实施例的影像感测组件的晶圆级封装构造于制造过程中的截面示意图。
具体实施方式
请参阅第2图,本发明的具体实施例揭示一影像感测组件的晶圆级封装构造200,主要包含一影像感测芯片210以及若干个金属柱220。影像感测芯片210具有一个主动面211、一个背面212以及若干个贯通孔213,所述主动面211包括一个光感测区214及若干个焊垫215,一保护层240形成于该主动面211上。此外,主动面211上设置有一透明材质层230,其以一环氧树脂250固设于该主动面211上,以保护光感测区214。所述贯通孔213设置于光感测区214外侧,并且该些贯通孔213的孔壁可形成一电绝缘层260,例如二氧化硅(SiO2),以防止该影像感测芯片210发生短路。该些贯通孔213对准并导通至所述焊垫215,较好的情况是所述焊垫215的面积大于该些贯通孔213的开口尺寸,以利于该些金属柱220导接所述焊垫215。金属柱220可以利用电镀等方式形成于贯通孔213中,该些金属柱220可为单一金属材质,例如电镀铜。金属柱220的一个第一端部221导接至该些焊垫215,该些金属柱的一个第二端部222突出于该影像感测芯片210的背面212,该些金属柱220的第二端部222突出于该背面212的高度介于5~10微米,并且该些金属柱220的长度大于该影像感测芯片210的厚度。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日月光半导体制造股份有限公司,未经日月光半导体制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200610063629.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:W型铁氧体电磁吸波材料及其制备方法
- 下一篇:构造薄膜镜的方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的