[发明专利]影像感测组件的晶圆级封装构造有效
申请号: | 200610063629.6 | 申请日: | 2006-12-27 |
公开(公告)号: | CN101211932A | 公开(公告)日: | 2008-07-02 |
发明(设计)人: | 萧伟民;杨国宾 | 申请(专利权)人: | 日月光半导体制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L23/485;H01L21/60 |
代理公司: | 上海翼胜专利商标事务所 | 代理人: | 翟羽 |
地址: | 中国台湾高雄*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 影像 组件 晶圆级 封装 构造 | ||
1.一影像感测组件的晶圆级封装构造包括一影像感测芯片,所述影像感测芯片包括一主动面和一背面,其中所述主动面包括有一光感测区以及若干个焊垫,其特征在于:
所述影像感测芯片还包括有若干个贯通孔,所述贯通孔对准并导通至所述焊垫;
所述影像感测芯片还包括有若干个金属柱,所述金属柱形成于所述贯通孔中,其长度大于所述影像感测晶片的厚度,所述金属柱的一第一端部导接至所述焊垫、一第二端部突出于所述影像感测芯片的背面。
2.如权利要求1所述的影像感测组件的晶圆级封装构造,其特征在于,所述的影像感测组件的晶圆级封装构造另包含有一透明材质层,所述透明材质层设置于所述主动面上。
3.如权利要求1所述的影像感测组件的晶圆级封装构造,其特征在于,所述金属柱为电镀铜。
4.如权利要求1所述的影像感测组件的晶圆级封装构造,其特征在于,所述贯通孔的孔壁形成有一电绝缘层。
5.如权利要求1所述的影像感测组件的晶圆级封装构造,其特征在于,所述第二端部突出于背面的高度介于5~10微米。
6.一影像感测组件的晶圆级封装构造的制造方法,其特征在于,所述方法包括:
提供至少一影像感测芯片,所述影像感测芯片具有一主动面、一背面以及若干个贯通孔,所述主动面包含有一光感测区并形成有若干个焊垫,所述贯通孔对准并导通至所述焊垫;以及
形成若干个金属柱于所述贯通孔中,所述金属柱的一第一端部导接至所述焊垫,所述金属柱的一第二端部突出于所述影像感测芯片的背面。
7.如权利要求6所述的影像感测组件的晶圆级封装构造的制造方法,其特征在于,所述的影像感测组件的晶圆级封装构造的制造方法另包含有:设置于所述主动面上的一透明材质层。
8.如权利要求6所述的影像感测组件的晶圆级封装构造的制造方法,其特征在于,所述金属柱利用电镀方式形成。
9.如权利要求6所述的影像感测组件的晶圆级封装构造的制造方法,其特征在于,所述的影像感测组件的晶圆级封装构造的制造方法另包含有:形成一电绝缘层于所述贯通孔的孔壁。
10.如权利要求6所述的影像感测组件的晶圆级封装构造的制造方法,其特征在于,所述的影像感测组件的晶圆级封装构造的制造方法另包含有:
形成一光阻层于所述影像感测芯片的背面,其厚度介于5~10微米;以及
曝光显影所述光阻层,以形成若干个孔洞,所述孔洞对准并连接至所述贯通孔。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的