[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200610005485.9 | 申请日： | 2006-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN1893038A | 公开（公告）日： | 2007-01-10 |
| 发明（设计）人： | 玉川道昭;南泽正荣 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/34 | 分类号： | H01L23/34;H01L21/50 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王玉双;潘培坤 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有高可靠性和优异散热性的半导体器件，以及以低成本制造该半导体器件的方法。通过含焊料碳构件结合半导体元件与作为散热构件的壳体，该含焊料碳构件具有如下结构：在含焊料碳烧结体的表面上形成外焊料层，该含焊料碳烧结体通过使用焊料浸渍碳烧结体而形成。通过将所述烧结体用于半导体元件与壳体之间的连接，可消除半导体元件发热过程中的热应力，同时保证高散热性。通过使用廉价焊料浸渍烧结体，可紧密结合烧结体与外焊料层。通过外焊料层，可紧密结合半导体元件与壳体。因此，可以低成本实现具有高可靠性和优异散热性的半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：半导体元件；和散热构件，该散热构件散发由该半导体元件所产生的热，其中：该半导体元件与该散热构件通过含金属碳构件结合，该含金属碳构件通过使用包含金属的碳材料形成。
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