[发明专利]半导体装置以及形成一半导体结构的方法

摘要

本发明提供一种半导体装置以及形成一半导体结构的方法。该半导体装置包含有一基底以及一元件阵列。该元件阵列具有数个晶体管。该等晶体管的栅极大致设置于一栅方向。每个该等晶体管具有由数次离子注入所形成的数个袋形区。每个该等离子注入的旋转角度大约与该栅方向垂直。每个晶体管是形成于一阱区，且每个晶体管的该等袋形区与该相对应的阱区具有一样的导电型。本发明所述半导体装置以及形成一半导体结构的方法，可明显的改善漏电流。且光致抗蚀剂图案变异问题，就不会影响掺杂浓度，所以元件可以匹配的更好，而存储单元的效能也可以更好。

主权项

1.一半导体装置，其特征在于，所述半导体装置包含有：一基底；以及至少一元件阵列，具有数个晶体管，该晶体管的栅极设置于一栅方向；其中，每个该晶体管具有由数次离子注入所形成的数个袋形区，每个该离子注入的旋转角度大约与该栅方向垂直；以及其中，每个晶体管是形成于一阱区，且每个晶体管的该袋形区与该相对应的阱区具有一样的导电型。