[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

在半导体基板的上方形成具有铁电膜(10a)的铁电电容器之后，形成直接连接在铁电电容器的电极(9a、11a)上的布线(17)。然后，形成覆盖布线(17)的氧化硅膜(18)。但是，作为氧化硅膜(18)而形成如下膜，该膜在成膜时对铁电电容器的损伤程度低于或等于氧化铝膜在成膜时对铁电电容器的损伤程度，而且该膜的易加工程度高于氧化铝膜的易加工程度。

主权项

1.一种半导体装置，其特征在于，具有：半导体基板；铁电电容器，其形成在所述半导体基板的上方，并具有铁电膜；布线，其直接连接在所述铁电电容器的电极上；绝缘膜，其覆盖所述布线，所述绝缘膜在成膜时对所述铁电电容器的损伤程度低于或等于氧化铝膜在成膜时对所述铁电电容器的损伤程度，而且所述绝缘膜的易加工程度高于氧化铝膜的易加工程度。