[实用新型]半导体装置、磁传感器和磁传感器单元无效
| 申请号： | 200520007367.2 | 申请日： | 2005-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN2881957Y | 公开（公告）日： | 2007-03-21 |
| 发明（设计）人： | 内藤宽;佐藤秀树 | 申请（专利权）人： | 雅马哈株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/50 | 分类号： | H01L23/50 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种磁传感器，其特征在于包括形成为一片状的对至少在磁场的一个方向上的磁分量敏感的一磁传感器芯片和从所述磁传感器芯片的表面凸出的将所述磁传感器芯片电连接于片状的一电路板的多个电极部分，其中电极部分在所述磁传感器的表面排列为一行。一种磁传感器单元，其特征在于包括两个如权利要求1所述的磁传感器，和其上安装所述磁传感器的一电路板，所述电极部分与表面接触，其中至少一个磁传感器的磁传感器芯片对在两个方向上的磁场的磁分量敏感；而且，磁传感器在电路板上设置为至少部分重叠，使得另一磁传感器的敏感方向与所述磁传感器由两个敏感方向组成的平面交叉。本实用新型能够抑制设置于半导体芯片表面的传感器元件性能的波动和退化。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 传感器 单元 | ||
【主权项】：
1.一种磁传感器，其特征在于包括形成为一片状的对至少在磁场的一个方向上的磁分量敏感的一磁传感器芯片和从所述磁传感器芯片的表面凸出的将所述磁传感器芯片电连接于片状的一电路板的多个电极部分，其中电极部分在所述磁传感器的表面排列为一行。
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