[发明专利]具有氧化物凸缘应用的STI的原地和异地腐蚀方法有效
| 申请号： | 200510128577.1 | 申请日： | 2001-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN1797767A | 公开（公告）日： | 2006-07-05 |
| 发明（设计）人： | A·J·米勒;F·索埃斯伊洛 | 申请（专利权）人： | 兰姆研究有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/00 | 分类号： | H01L27/00;H01L27/108;H01L21/82;H01L21/8242;H01L21/76;H01L21/306;H01L21/311 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 程天正;梁永 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开了一种集成电路结构，通过用于将一部分集成电路结构腐蚀到一定目标深度的方法而形成，这种集成电路结构具有第一组成材料区域，以及与第一种组成材料区域相邻的至少第二组成材料区域，该方法包括：(i)应用第一种腐蚀化学药品，它能够优选腐蚀第一组成材料区域；(ii)应用第二种腐蚀化学药品，它能够优选腐蚀第二组成材料区域；和重复步骤(i)和(ii)，直到达到特定的目标深度，其中通过来回倒换使用这些腐蚀化学药品，保持集成电路结构及其组成材料区域的特定侧面。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 氧化物 凸缘 应用 sti 原地 异地 腐蚀 方法 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路(IC)结构，通过用于将一部分集成电路(IC)结构腐蚀到一定目标深度的方法而形成，这种集成电路结构具有第一组成材料区域，以及与第一种组成材料区域相邻的至少第二组成材料区域，该方法包括：(i)应用第一种腐蚀化学药品，它能够优选腐蚀第一组成材料区域；(ii)应用第二种腐蚀化学药品，它能够优选腐蚀第二组成材料区域；和重复步骤(i)和(ii)，直到达到特定的目标深度，其中通过来回倒换使用这些腐蚀化学药品，保持集成电路结构及其组成材料区域的特定侧面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
