[发明专利]氮化物半导体发光元件及制造氮化物半导体发光元件的方法

摘要

本发明提供一种氮化物半导体发光元件，在支撑基体上设置第1导电型氮化物半导体层，此外在支撑基体上设置第2导电型氮化物半导体层。发光区域，设在第1导电型氮化物半导体层和第2导电型氮化物半导体层之间。发光区域，含有In_X1Al_Y1Ga_1－X1－Y1N势阱层(1＞X1＞0、1＞Y1＞0)及In_X2Al_Y2Ga_1－X2－Y2N势垒层(1＞X2＞0、1＞Y2＞0)。In_X3Al_Y3Ga_1－X3－Y3N缓冲层(1＞X3＞0、1＞Y3＞0)，设在发光区域和第1导电型氮化物半导体层之间。In_X1Al_Y1Ga_1－X1－Y1N势阱层的铟组成X1，小于In_X3Al_Y3Ga_1－X3－Y3N缓冲层的铟组成X3。In_X2Al_Y2Ga_1－X2－Y2N势垒层的铟组成X2小于In_X3Al_Y3Ga_1－X3－Y3N缓冲层的铟组成X3。

主权项

1.一种氮化物半导体发光元件，是发生含有紫外线区域的波长成分的光的氮化物半导体发光元件，其特征在于，具有：设在支撑基体上的第1导电型氮化物半导体层、设在支撑基体上的第2导电型氮化物半导体层、发光区域，设在所述第1导电型氮化物半导体层和所述第2导电型氮化物半导体层之间，含有InX1AlY1Ga1-X1-Y1N势阱层(1＞X1＞0、1＞Y1＞0)及InX2AlY2Ga1-X2-Y2N势垒层(1＞X2＞0、1＞Y2＞0)、InX3AlY3Ga1-X3-Y3N缓冲层(1＞X3＞0、1＞Y3＞0)，设在所述发光区域和所述第1导电型氮化物半导体层之间；所述InX1AlY1Ga1-X1-Y1N势阱层的铟组成X1，小于所述InX3AlY3Ga1-X3-Y3N缓冲层的铟组成X3；所述InX2AlY2Ga1-X2-Y2N势垒层的铟组成X2，小于所述InX3AlY3Ga1-X3-Y3N缓冲层的铟组成X3。