[发明专利]氮化物半导体发光元件及制造氮化物半导体发光元件的方法有效
| 申请号： | 200510088496.3 | 申请日： | 2005-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN1734802A | 公开（公告）日： | 2006-02-15 |
| 发明（设计）人： | 京野孝史;平山秀树 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社;独立行政法人理化学研究所 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;C01G15/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 朱丹 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 发光 元件 制造 方法 | ||
【说明书】：
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