[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200510085867.2 | 申请日： | 2005-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN1725452A | 公开（公告）日： | 2006-01-25 |
| 发明（设计）人： | 吕伯雄;庄学理;蔡瑛修;杨淑婷;杨正辉;冯忠铭;吴斯安;刘沧宇;陈明德 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/314 | 分类号： | H01L21/314;H01L21/311;C23C16/44 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 台湾新竹科学*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。所述半导体装置的制造方法，是包含：在一基底上形成一含氟介电膜，该含氟介电膜是包含约25％或较少的游离氟，具有约5％或较少的孔洞及约3.8或较小的一介电常数；沉积一第一扩散阻障层于一基底及该含氟介电膜之间；沉积一第二扩散阻障层于该含氟介电膜及导线之间。此膜的形成方式如下：在一沉积反应室中的压力约等于或小于3托尔，及射频功率约为500至5000瓦的条件下，导入一四氟化硅及硅甲烷的气体，其中四氟化硅比硅甲烷的反应比率约等于或小于2.5，以形成此含氟介电膜。本发明改善FSG介电膜的品质，使用此含氟介电膜的半导体装置可以改善电性功能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体装置，所述半导体装置包含：一基底；以及一含氟介电膜，覆盖该基底，其特征在于：该含氟介电膜是包含一使用氢氟酸的湿式蚀刻率，其蚀刻率小于一热氧化硅的15倍。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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