[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200510080289.3 | 申请日： | 2005-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN1716591A | 公开（公告）日： | 2006-01-04 |
| 发明（设计）人： | 筒井将史 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525;H01L27/04;H01L21/768;H01L21/82 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 季向冈 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的熔丝元件4，由：第一区域4a即遮断电路的部分、接在第一区域4a的两端、图案宽度比第一区域4a还宽的第二区域4b及第三区域4c构成。熔丝元件4中的第二区域4b、第一区域4a及第三区域4c中的一部分形成在厚膜绝缘膜2上，第三区域4c中的其它部分则形成在薄膜绝缘膜3上。因为熔丝元件4中所产生的热很难通过厚膜绝缘膜2散发到半导体衬底1中，却很容易通过薄膜绝缘膜3散发到半导体衬底1中，所以熔丝元件4内的温度变化和温度斜率就变大。结果是，很容易电气上切断第一区域4a。于是，本发明能提供一种具有容易从电气上切断的熔丝元件的半导体器件及其制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于：包括：形成在半导体衬底上的第一绝缘膜，形成在所述半导体衬底上与所述第一绝缘膜相邻的区域、膜厚比所述第一绝缘膜的薄的第二绝缘膜，从所述第一绝缘膜上形成到所述第二绝缘膜上、具有成为熔丝部分的第一区域、接着所述第一区域的一侧形成的第二区域以及接着所述第一区域的另一侧形成的第三区域的熔丝元件，形成在所述熔丝元件上的层间绝缘膜，穿通所述层间绝缘膜、与所述熔丝元件的所述第二区域接触的至少一个第一接触柱塞，穿通所述层间绝缘膜、与所述熔丝元件的所述第三区域接触的至少一个第二接触柱塞，形成在所述层间绝缘膜上、和所述第一接触柱塞连接的第一布线，以及形成在所述层间绝缘膜上、与所述第二接触柱塞连接的第二布线。
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