[发明专利]具有高反差标志的金属层的半导体器件及制造方法有效
| 申请号： | 200510072987.9 | 申请日： | 2005-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN1707790A | 公开（公告）日： | 2005-12-14 |
| 发明（设计）人： | 肯特·凯姆;杰弗里·皮尔斯 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种功率半导体器件，它包括一个具有电活性第一和第二表面的半导体单元片。一个标志位于第二表面上，配置该标志以利于该器件的辨认，而在半导体单元片的第二表面以及标志上形成一金属层，配置该金属层以传导该器件的电流并使该标志清晰可见，以供辨认。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 反差 标志 金属 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种功率半导体器件，包括：半导体单元片，它有一个第一表面和一个第二表面，其中该第一和第二表面是电活性的；位于第二表面上的标志，配置该标志以利于该器件的辨认；以及在该半导体单元片的第二表面上以及标志上形成的一金属层，配置该金属层以传导该器件的电流并使得该标志可见，以供辨认。
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