[发明专利]半导体装置和半导体装置的制造方法无效
| 申请号： | 200510064877.8 | 申请日： | 2005-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN1684249A | 公开（公告）日： | 2005-10-19 |
| 发明（设计）人： | 濑古敏春 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/12 | 分类号： | H01L23/12;H01L23/48;H01L23/31;H01L21/60;H01L21/56 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 浦柏明;刘宗杰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 如图(a)所示，在绝缘带(1)上设置布线图形(2)，将其一部分作为用于连接的连接部(4)。如图(b)所示，配置绝缘性树脂(7)以便覆盖连接部(4)。在图(c)中，进行定位在D1方向上加压使得半导体元件(3)的突起电极(6)推开绝缘性树脂(7)并连接于连接部(4)上。如图(d)所示，以在D1方向上加压了的状态下进行加热，使得连接部(4)伸入突起电极(6)，使半导体元件(3)和绝缘带(1)的布线图形(2)被连接。由此，可以提供一种提高了带与半导体元件的连接强度的COF半导体装置。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置(10)，具备：绝缘带(1)，配置了多个布线图形(2)；以及半导体元件(3)，包括经由上述布线图形(2)电连接于上述绝缘带(1)上的突起电极(6)，其特征在于，在上述绝缘带(1)的布线图形(2)中的、与上述半导体元件(3)的突起电极(6)对置的区域中，设置用于连接成使上述半导体元件(3)的突起电极(6)变形的同时伸入上述突起电极(6)的连接部(4)，并且在上述半导体元件(3)与上述绝缘带(1)之间配置了绝缘性树脂(7)，上述绝缘带(1)的布线图形(2)中的上述连接部(4)以推开上述绝缘性树脂(7)并伸入上述半导体元件(3)的突起电极(6)方式与上述突起电极(6)连接。
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