[发明专利]半导体装置、磁传感器和磁传感器单元有效
申请号: | 200510059117.8 | 申请日: | 2005-03-22 |
公开(公告)号: | CN1674270A | 公开(公告)日: | 2005-09-28 |
发明(设计)人: | 内藤宽;佐藤秀树 | 申请(专利权)人: | 雅马哈株式会社 |
主分类号: | H01L23/50 | 分类号: | H01L23/50;G01B7/00;G01R33/00 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陶凤波;侯宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明公开了一种半导体装置,包括半导体芯片;垫式电极;电极部分;线路部分和绝缘部分。绝缘部分由电绝缘材料形成,覆盖半导体芯片的表面且封装传感器元件、线路部分和电极部分,其状态为至少显露在半导体芯片的表面上的电极部分。电极部分设置于在半导体芯片的厚度方向上与传感器元件不重叠的位置。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 传感器 单元 | ||
【主权项】:
1.一种半导体装置,包括:一半导体芯片,其表面上形成电连接到其上的集成电路和一传感器元件;一垫式电极,在所述半导体芯片的表面侧上形成,且至少与所述集成电路电连接;一电极部分,设置在所述半导体芯片的表面侧上,且将所述半导体芯片与外部电路电连接;一线路部分,电连接所述垫式电极与所述电极部分;一绝缘部分,由电绝缘材料形成,覆盖所述半导体芯片的表面且封装所述的传感器元件、线路部分和电极部分,使之至少显露在所述半导体芯片的表面侧上的电极部分;而且其中所述电极部分设置于在所述半导体芯片的厚度方向上与所述传感器元件不重叠的位置。
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