[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200510056207.1 | 申请日： | 2005-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN1684255A | 公开（公告）日： | 2005-10-19 |
| 发明（设计）人： | 竹胁利至;小田典明 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525;H01L21/768;H01L21/3205 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏;陆弋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供了一种可靠性优良的半导体器件。该半导体器件由半导体衬底、绝缘部分、熔丝以及密封环构成，绝缘部分具有由设置在半导体上部上的腐蚀停止膜、绝缘膜、腐蚀停止膜、绝缘膜、腐蚀停止膜以及绝缘膜构成的多层绝缘膜，熔丝设置在绝缘部分上，密封环由嵌入绝缘部分的含铜金属膜、阻挡金属膜、含铜金属膜和阻挡金属膜构成，以便围绕正好在熔丝下的区域。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：半导体衬底；设置在所述半导体衬底上的绝缘部分，其具有不小于两层的层间绝缘膜；设置在所述绝缘部分上的熔丝；以及嵌入所述绝缘部分中以便围绕正好在所述熔丝下的区域的密封环。
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