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- [发明专利]半导体器件-CN201010194955.7无效
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小田典明;邻真一
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瑞萨电子株式会社
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2010-05-31
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2011-01-05
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H01L23/485
- 本发明涉及一种半导体器件。在半导体器件中，下部多层互连结构、中间通孔级绝缘间层、以及上部多层互连结构被按照此顺序堆叠在平面图中与焊盘重叠的区域中；上部多层互连结构的上部互连和通孔被形成为连接至焊盘布置区域中的焊盘；中间通孔级绝缘间层不具有形成在其中的连接上部多层互连结构中的通孔或者互连与下部多层互连结构中的通孔或者互连的导电材料层；并且由被包含在下部多层互连结构中的通孔级绝缘间层中的通孔占据的面积的比率小于由被包含在上部多层互连结构中的通孔级绝缘间层中的通孔占据的面积的比率。
- 半导体器件
- [发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200410047390.4无效
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竹脇利至;小田典明;本间一郎
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恩益禧电子股份有限公司
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2004-06-03
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2005-02-02
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H01L23/52
- 半导体器件包括第一布线层部分(33)，形成于半导体衬底(40)上面；及第二布线层部分(32)，形成于第一布线层部分上。第一布线层部分包括第一中间层绝缘膜(14，15)；多个第一通路栓塞(20)，形成于第一中间层绝缘膜中，以第一距离互相隔开；及多个第一布线(30)，形成于第一中间层绝缘膜中的多个第一通路栓塞上，并且与多个第一通路栓塞相连。第二布线层部分包括第二中间层绝缘膜；多个第二通路栓塞，形成于第二中间层绝缘膜中，并且以长于第一距离的第二距离互相隔开；及多个第二布线，分别形成于第二中间层绝缘膜中的多个第二通路栓塞上，且与多个第二通路栓塞相连。多个第一通路栓塞、多个第一布线、多个第二通路栓塞和多个第二布线包含含铜金属。第一布线层部分具有单大马士革结构，并且第二布线层部分为双大马士革结构。
- 半导体器件及其制造方法
- [发明专利]半导体器件及其制造方法-CN99100526.0无效
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小田典明
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恩益禧电子股份有限公司
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1999-02-04
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2004-03-31
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H01L21/3205
- 公开了一种半导体器件，其具有：衬底；衬底上的半导体区；形成在半导体区整个表面上的，由Co-Si合金层组成的硅化物层；形成在衬底上的层间介质膜，层间介质膜具有露出部分硅化物层的接触孔；形成在接触孔内部，并且直接与硅化物层接触的阻挡层，阻挡层包括Ti；其中在从接触孔中露出的硅化物层的所说部分上，选择性地形成由Co-Si-Ti合金层组成的富硅硅化物层。还公开了一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：在衬底上选择地形成给定导电类型的半导体区；在半导体区的整个表面上形成Co-Si合金层；在Co-Si合金层的整个表面或部分中掺入Si；在部分Co-Si合金层中形成含Ti层；及对衬底进行热处理，形成含有使接触电阻极大减小的硅量的富硅硅化物层。
- 半导体器件及其制造方法
- [发明专利]半导体器件的制造方法-CN98108918.6无效
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小田典明
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日本电气株式会社
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1998-05-22
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1998-12-02
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H01L21/768
- 提供一种制造半导体器件的制造方法,所说器件包括层间绝缘膜,层间绝缘膜是形成在半导体衬底上的氧化膜或由BPSG构成的膜。其中,用腐蚀气体选择腐蚀形成在层间绝缘膜上的铝布线层。然后,将通过选择腐蚀所暴露的层间绝缘膜的表面进行表面改造。此后用CVD方法或其它方法形成氟化非晶碳层。根据改造表面的一个方法,在选择腐蚀铝布线层以后,将腐蚀气体改为含CF4的气体,以在层间绝缘膜的表面进行等离子体处理。根据改造表面的另一个方法,在形成氟化非晶碳之前,在层间绝缘膜的表面进行硅离子注入。由于这种改造,可以保持氟化非晶碳与层间绝缘膜之间的粘附性。
- 半导体器件制造方法
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